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4N60FI Mosfet 4N60 P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220

4N60FI - STMicroeletronics
4N60FI Mosfet 4N60 P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220
*As imagens podem ser ilustrativas
Mosfet 4N60 P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220Mosfet 4N60 P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220Mosfet 4N60 P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220Mosfet 4N60 P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220Mosfet 4N60 P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220

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Garantia:
3 meses direto com a Net Computadores

NCM:
85423190

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Novo em embalagem comercial

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4N60FI Mosfet 4N60 P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220

Condição de 4N60FI:    Novo em embalagem comercial

Garantia  de  4N60FI:     3 meses direto com a Net Computadores

Outros PNs para este item:     4N60



Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Estilo de montagem: PTH
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 650V
Corrente de drenagem contínua: 2.7A
Fonte de drenagem na resistência: 2.2ohms
Voltagem de porta e fonte: -30V até 30V
Tensão de limite porta e fonte: 3V
Carga na porta: 9.8nC
Temperatura operacional mínima: -55C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 20W
Tempo de queda: 20ns
Tempo de ascensão: 7ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 6.5ns
Tempo típico de ativação/retardo: 19ns


Maiores detalhes de 4N60FI no site do fabricante:
https://datasheetspdf.com/datasheet/P4NA60FI.html


Tags de 4N60FI: P4N60FI, P4N60F, N60F, mosfet N60, STP4NA60FI, mosfet de potencia canal N, transistor 4n60, STMicroeletronics

4N60FI Mosfet 4N60 P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220

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Outros PNs para este componente:     4N60


Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Estilo de montagem: PTH
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 650V
Corrente de drenagem contínua: 2.7A
Fonte de drenagem na resistência: 2.2ohms
Voltagem de porta e fonte: -30V até 30V
Tensão de limite porta e fonte: 3V
Carga na porta: 9.8nC
Temperatura operacional mínima: -55C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 20W
Tempo de queda: 20ns
Tempo de ascensão: 7ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 6.5ns
Tempo típico de ativação/retardo: 19ns


Maiores detalhes de 4N60FI no site do fabricante:
https://datasheetspdf.com/datasheet/P4NA60FI.html


Tags de 4N60FI: P4N60FI, P4N60F, N60F, mosfet N60, STP4NA60FI, mosfet de potencia canal N, transistor 4n60, STMicroeletronics

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