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Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets / BC857W.115
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BC857W.115 Transistor PNP bipolar 50V 100mA SOT323 (Rolo 3000)

marcação no componente: 3HT

BC857W.115 - nexperia
BC857W.115 Transistor PNP bipolar 50V 100mA SOT323 (Rolo 3000)
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Transistor PNP bipolar 50V 100mA SOT323 (Rolo 3000)Transistor PNP bipolar 50V 100mA SOT323 (Rolo 3000)Transistor PNP bipolar 50V 100mA SOT323 (Rolo 3000)Transistor PNP bipolar 50V 100mA SOT323 (Rolo 3000)Transistor PNP bipolar 50V 100mA SOT323 (Rolo 3000)Transistor PNP bipolar 50V 100mA SOT323 (Rolo 3000)Transistor PNP bipolar 50V 100mA SOT323 (Rolo 3000)

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BC857W.115 Transistor PNP bipolar 50V 100mA SOT323 (Rolo 3000)
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Outros PNs para este item:     3HT, BC857W,115



Rolo fechado com 3000 unidades
  
 Fabricante: Nexperia    
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT    
Estilo de montagem: SMD/SMT    
Caixa / Gabinete: SOT-323-3
Polaridade do transistor: PNP    
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 45 V    
Coletor VCBO de voltagem básica: 50 V    
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V    
Tensão de saturação do coletor - emissor:  200 mV    
Corrente do coletor DC máxima: 100 mA    
Pd - Dissipação de potência: 200 mW    
Produto fT da largura de banda de ganho: 100 MHz    
Temperatura operacional mínima: - 65 C    
Temperatura operacional máxima:  150 C    
Marca: Nexperia    
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 125    
hFE máx. de ganho de corrente DC: 125 at 2 mA, 5 V    
Altura: 1 mm    
Comprimento:  2.2 mm    
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors
  
 Rolo fechado com 3000 unidades

Maiores detalhes de BC857W.115 no site do fabricante:
https://www.nexperia.com/products/bipolar-transistors/general-purpose-and-low-vc


Tags de BC857W.115: transistor 3HT, BC847W, BC857W.115, BC857W,115, SC-70, BC847, nexperia

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 Fabricante: Nexperia    
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT    
Estilo de montagem: SMD/SMT    
Caixa / Gabinete: SOT-323-3
Polaridade do transistor: PNP    
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 45 V    
Coletor VCBO de voltagem básica: 50 V    
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V    
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Corrente do coletor DC máxima: 100 mA    
Pd - Dissipação de potência: 200 mW    
Produto fT da largura de banda de ganho: 100 MHz    
Temperatura operacional mínima: - 65 C    
Temperatura operacional máxima:  150 C    
Marca: Nexperia    
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 125    
hFE máx. de ganho de corrente DC: 125 at 2 mA, 5 V    
Altura: 1 mm    
Comprimento:  2.2 mm    
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors
  
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