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BCM857BS Transistor PNP duplo BJT 45V 100mA SOT363 (Kit 10x)

marcação no componente: A9T, A9J

BCM857BS - nexperia
BCM857BS Transistor PNP duplo BJT 45V 100mA SOT363 (Kit 10x)
*As imagens podem ser ilustrativas
Transistor PNP duplo BJT 45V 100mA SOT363 (Kit 10x)Transistor PNP duplo BJT 45V 100mA SOT363 (Kit 10x)Transistor PNP duplo BJT 45V 100mA SOT363 (Kit 10x)Transistor PNP duplo BJT 45V 100mA SOT363 (Kit 10x)Transistor PNP duplo BJT 45V 100mA SOT363 (Kit 10x)Transistor PNP duplo BJT 45V 100mA SOT363 (Kit 10x)Transistor PNP duplo BJT 45V 100mA SOT363 (Kit 10x)Transistor PNP duplo BJT 45V 100mA SOT363 (Kit 10x)

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NCM:
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BCM857BS Transistor PNP duplo BJT 45V 100mA SOT363 (Kit 10x)
marcação no componente: A9T, A9J

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Outros PNs para este item:     A9T, A9J, BCM857BS,115



Fabricante: Nexperia    
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT    
Estilo de montagem: SMD/SMT    
Caixa / Gabinete: TSSOP-6    
Polaridade do transistor: PNP    
Configuração: Dual    
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 45 V    
Coletor VCBO de voltagem básica: 50 V    
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V    
Tensão de saturação do coletor - emissor:  200 mV    
Corrente do coletor DC máxima: 100 mA    
Pd - Dissipação de potência: 300 mW    
Produto fT da largura de banda de ganho: 175 MHz    
Temperatura operacional mínima: - 65 C    
Temperatura operacional máxima:  150 C    
Marca: Nexperia    
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 200 at 2 mA, 5 V    
hFE máx. de ganho de corrente DC: 200 at 2 mA, 5 V    
Altura: 1 mm    
Comprimento:  2.2 mm    
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors

Maiores detalhes de BCM857BS no site do fabricante:
https://www.nexperia.com/products/bipolar-transistors/special-feature-transistor


Tags de BCM857BS: transistor A9T, transistor A9J, M857BS, BCM857BS,115, BCM857BS.115,, nexperia

BCM857BS Transistor PNP duplo BJT 45V 100mA SOT363 (Kit 10x) marcação no componente: A9T, A9J

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Outros PNs para este componente:     A9T, A9J, BCM857BS,115


Fabricante: Nexperia    
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT    
Estilo de montagem: SMD/SMT    
Caixa / Gabinete: TSSOP-6    
Polaridade do transistor: PNP    
Configuração: Dual    
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 45 V    
Coletor VCBO de voltagem básica: 50 V    
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V    
Tensão de saturação do coletor - emissor:  200 mV    
Corrente do coletor DC máxima: 100 mA    
Pd - Dissipação de potência: 300 mW    
Produto fT da largura de banda de ganho: 175 MHz    
Temperatura operacional mínima: - 65 C    
Temperatura operacional máxima:  150 C    
Marca: Nexperia    
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 200 at 2 mA, 5 V    
hFE máx. de ganho de corrente DC: 200 at 2 mA, 5 V    
Altura: 1 mm    
Comprimento:  2.2 mm    
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors

Maiores detalhes de BCM857BS no site do fabricante:
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