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CY7C185-35VC Ci de memoria SRAM 64KBIT PARALLEL SMD 28SOJ

SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kbit Parallel 35 ns 28-SOJ

CY7C185-35VC - Cypress Semiconductor
CY7C185-35VC Ci de memoria SRAM 64KBIT PARALLEL SMD 28SOJ
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3 meses direto com a Net Computadores

NCM:
85423190

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CY7C185-35VC Ci de memoria SRAM 64KBIT PARALLEL SMD 28SOJ
SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kbit Parallel 35 ns 28-SOJ

Condição de CY7C185-35VC:    Novo em embalagem antiestática

Garantia  de  CY7C185-35VC:     3 meses direto com a Net Computadores



Ci de memoria SRAM 64KBIT PARALLEL SMD 28SOJ
SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kbit Parallel 35 ns 28-SOJ
 
Subcategoria SRAMs
Tempo de acesso máximo: 35,0 ns
Tipo de E/S: COMUM
Código JESD-30: R-PDSO-J28
Código JESD-609: e0
Densidade de memória: 65536,0 bits
Tipo de CI de memória: SRAM PADRÃO
Largura da memória: 8
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de funções: 1
Número de portas: 1
Número de terminais: 28
Número de palavras: 8192,0 palavras
Código do número de palavras: 8K
Modo de operação: ASSÍNCRONO
Temperatura mínima de operação: 0,0 C
Temperatura máxima de operação: 70,0 C
Organização: 8K x 8
Características de saída: Saída de 3 estados
Habilitada: SIM
Material do encapsulamento: PLÁSTICO/EPÓXI
Código do encapsulamento: SOJ
Código de equivalência do encapsulamento: SOJ28,.34
Formato do encapsulamento: RETANGULAR
Estilo do encapsulamento: CONTORNO PEQUENO
Paralelo/Serial: PARALELO
Temperatura máxima de refluxo (C): 220
Alimentação (V): 5
Status de qualificação: Não qualificado
Altura máxima na posição sentada: 3,556 mm;
Corrente máxima em espera: 0,015 A;
Tensão mínima em espera: 4,5 V
; Corrente máxima de alimentação: 0,1 A;
Tensão nominal de alimentação (Vsup): 5,0 V;
Tensão mínima de alimentação (Vsup): 4,5 V;
Tensão máxima de alimentação (Vsup): 5,5 V;
Montagem em superfície: SIM;
Tecnologia: CMOS;
Grau de temperatura: COMERCIAL;
Acabamento dos terminais: Estanho/Chumbo (Sn/Pb);
Formato dos terminais: Curva em J;
Passo dos terminais: 1,27 mm;
Posição dos terminais: DUPLA;
Tempo no pico: Temperatura máxima de refluxo (s): NÃO ESPECIFICADA;
Comprimento: 17,907 mm;
Largura: 7,5 mm;
Recurso adicional: DESLIGAMENTO AUTOMÁTICO.


Maiores detalhes de CY7C185-35VC no site do fabricante:


Tags de CY7C185-35VC: CY7C185-45VC, CY7C185-35VC, CY7C185, CY7C185-15VC, SOJ28, CY7C185-15VI, CY7C185-35VC, CY7C192-20VC, CY7C199-15VI, CY7C199-20VI, CY7C199-25VC, Cypress Semiconductor

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Tempo de acesso máximo: 35,0 ns
Tipo de E/S: COMUM
Código JESD-30: R-PDSO-J28
Código JESD-609: e0
Densidade de memória: 65536,0 bits
Tipo de CI de memória: SRAM PADRÃO
Largura da memória: 8
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de funções: 1
Número de portas: 1
Número de terminais: 28
Número de palavras: 8192,0 palavras
Código do número de palavras: 8K
Modo de operação: ASSÍNCRONO
Temperatura mínima de operação: 0,0 C
Temperatura máxima de operação: 70,0 C
Organização: 8K x 8
Características de saída: Saída de 3 estados
Habilitada: SIM
Material do encapsulamento: PLÁSTICO/EPÓXI
Código do encapsulamento: SOJ
Código de equivalência do encapsulamento: SOJ28,.34
Formato do encapsulamento: RETANGULAR
Estilo do encapsulamento: CONTORNO PEQUENO
Paralelo/Serial: PARALELO
Temperatura máxima de refluxo (C): 220
Alimentação (V): 5
Status de qualificação: Não qualificado
Altura máxima na posição sentada: 3,556 mm;
Corrente máxima em espera: 0,015 A;
Tensão mínima em espera: 4,5 V
; Corrente máxima de alimentação: 0,1 A;
Tensão nominal de alimentação (Vsup): 5,0 V;
Tensão mínima de alimentação (Vsup): 4,5 V;
Tensão máxima de alimentação (Vsup): 5,5 V;
Montagem em superfície: SIM;
Tecnologia: CMOS;
Grau de temperatura: COMERCIAL;
Acabamento dos terminais: Estanho/Chumbo (Sn/Pb);
Formato dos terminais: Curva em J;
Passo dos terminais: 1,27 mm;
Posição dos terminais: DUPLA;
Tempo no pico: Temperatura máxima de refluxo (s): NÃO ESPECIFICADA;
Comprimento: 17,907 mm;
Largura: 7,5 mm;
Recurso adicional: DESLIGAMENTO AUTOMÁTICO.


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