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FDMC8878 Transistor MOSFET 8878 30V NCH 30V 16.5A (kit 10x)

Rds On 9.6 mOhms (Kit com 10x unidades)

FDMC8878 - ON Semiconductor
FDMC8878 Transistor MOSFET 8878 30V NCH 30V 16.5A (kit 10x)
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FDMC8878 Transistor MOSFET 8878 30V NCH 30V 16.5A (kit 10x)
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Kit com 10 unidades
 
 Transistor MOSFET 8878 30V NCH 30V 16.5A 
 Rds On 9.6 mOhms
Fabricante: On Semiconductor
  
 Manufacturer: onsemi    
Mounting Style:    SMD/SMT    
Package/Case:    WDFN-8    
Transistor Polarity:    N-Channel    
Number of Channels:    1 Channel    
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:    30 V    
Id - Continuous Drain Current:    16.5 A    
Rds On - Drain-Source Resistance:    9.6 mOhms    
Vgs - Gate-Source Voltage:    - 20 V, 20 V    
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:    1 V    
Qg - Gate Charge:    18 nC    
Minimum Operating Temperature:    - 55 C    
Maximum Operating Temperature:     150 C    
Pd - Power Dissipation:    31 W    
Channel Mode:    Enhancement    
Configuration:    Single    
Fall Time:    3 ns    
Height:    0.8 mm    
Length:    3.3 mm    
Product Type:    MOSFETs    
Rise Time:    4 ns    
Series:    FDMC8878

Vídeo de FDMC8878 Transistor MOSFET 8878 30V NCH 30V 16.5A (kit 10x)



Tags de FDMC8878: FDMC8878, 8878, ON Semiconductor

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Mounting Style:    SMD/SMT    
Package/Case:    WDFN-8    
Transistor Polarity:    N-Channel    
Number of Channels:    1 Channel    
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:    30 V    
Id - Continuous Drain Current:    16.5 A    
Rds On - Drain-Source Resistance:    9.6 mOhms    
Vgs - Gate-Source Voltage:    - 20 V, 20 V    
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:    1 V    
Qg - Gate Charge:    18 nC    
Minimum Operating Temperature:    - 55 C    
Maximum Operating Temperature:     150 C    
Pd - Power Dissipation:    31 W    
Channel Mode:    Enhancement    
Configuration:    Single    
Fall Time:    3 ns    
Height:    0.8 mm    
Length:    3.3 mm    
Product Type:    MOSFETs    
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