FP
Cotações
e dúvidas

IPD60R280P7S Mosfet 60S280P7 600V 12A CoolMOS P7 TO252-3

IPD60R280P7S - Infineon
IPD60R280P7S Mosfet 60S280P7 600V 12A CoolMOS P7 TO252-3
*As imagens podem ser ilustrativas
Mosfet 60S280P7 600V 12A CoolMOS P7 TO252-3Mosfet 60S280P7 600V 12A CoolMOS P7 TO252-3Mosfet 60S280P7 600V 12A CoolMOS P7 TO252-3Mosfet 60S280P7 600V 12A CoolMOS P7 TO252-3Mosfet 60S280P7 600V 12A CoolMOS P7 TO252-3

R$ 16,00

à vista no Pix ou Boleto

ou R$ 15,99 em 1x no cartão (via site)

ou R$ 16,88 no cartão em até 10x sem juros (apenas na loja física)

R$ 16,00

à vista no Pix ou Boleto

R$ 15,99
em 1x no cartão (via site)

R$ 16,88 no cartão
em até 10x sem juros
(apenas na loja física)

Garantia:
3 meses direto com a Net Computadores

NCM:
85423120

R$ 16,00

à vista no pix

Condição:
Novo em embalagem antiestática

Garantia:
3 meses direto com a Net Computadores

NCM: 85423120

Comprar via
MERCADO LIVRE
IPD60R280P7S Mosfet 60S280P7 600V 12A CoolMOS P7 TO252-3

Condição de IPD60R280P7S:    Novo em embalagem antiestática

Garantia  de  IPD60R280P7S:     3 meses direto com a Net Computadores

Outros PNs para este item:     60R280P7



A plataforma CoolMOS de 7ª geração é uma tecnologia revolucionária para MOSFETs de potência de alta tensão, projetados de acordo com a superjunção
(SJ)princípioeiniciadopelaInfineonTechnologies.O 600V A série CoolMOS P7 é a sucessora da série CoolMOS P6.

Combina os benefícios de uma comutação rápida SJMOSFET com excelente facilidade de uso, por exemplo, tendência de toque muito baixo, excelente robustez do corpo
diodo contra comutação rígida e excelente capacidade ESD.

Além disso, perdas de comutação e condução extremamente baixas tornam alternando aplicações ainda mais eficientes, mais compactas e muito
resfriador.
 
Efficiency
  • 600V P7 enables excellent FOM RDSon xE oss and RDSon x QG
Ease-of-use
  • ESD ruggedness of 2kV (HBM class 2)
  • Integrated gate resistor R G
  • Rugged body diode
  • Wide portfolio in through hole and surface mount packages
  • Both standard grade and industrial grade parts are available
Efficiency
  • Excellent FOMs R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss enable higher efficiency
Ease-of-use
  • Ease-of-use in manufacturing environments by stopping ESD failures occurring
  • Integrated R G reduces MOSFET oscillation sensitivity
  • MOSFET is suitable for both hard and resonant switching topologies such as PFC and LLC
  • Excellent ruggedness during hard commutation of the body diode seen in LLC topology
  • Suitable for a wide variety of end applications and output powers
  • Parts available suitable for consumer and industrial applications
Potential Applications
  • TV power supply
  • Industrial SMPS
  • Server
  • Telecom 
  • Lighting
 


Maiores detalhes de IPD60R280P7S no site do fabricante:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/n-channel/500v-950v/ipd60r2


Tags de IPD60R280P7S: 60S280P7, 60R280P7, IPD60R280P7S, CoolMOS, IPD80R280P7ATMA1, Infineon

IPD60R280P7S Mosfet 60S280P7 600V 12A CoolMOS P7 TO252-3

Condição de IPD60R280P7S:
Novo em embalagem antiestática

Garantia  de  IPD60R280P7S:
3 meses direto com a Net Computadores

Outros PNs para este componente:     60R280P7


A plataforma CoolMOS de 7ª geração é uma tecnologia revolucionária para MOSFETs de potência de alta tensão, projetados de acordo com a superjunção
(SJ)princípioeiniciadopelaInfineonTechnologies.O 600V A série CoolMOS P7 é a sucessora da série CoolMOS P6.

Combina os benefícios de uma comutação rápida SJMOSFET com excelente facilidade de uso, por exemplo, tendência de toque muito baixo, excelente robustez do corpo
diodo contra comutação rígida e excelente capacidade ESD.

Além disso, perdas de comutação e condução extremamente baixas tornam alternando aplicações ainda mais eficientes, mais compactas e muito
resfriador.
 
Efficiency
  • 600V P7 enables excellent FOM RDSon xE oss and RDSon x QG
Ease-of-use
  • ESD ruggedness of 2kV (HBM class 2)
  • Integrated gate resistor R G
  • Rugged body diode
  • Wide portfolio in through hole and surface mount packages
  • Both standard grade and industrial grade parts are available
Efficiency
  • Excellent FOMs R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss enable higher efficiency
Ease-of-use
  • Ease-of-use in manufacturing environments by stopping ESD failures occurring
  • Integrated R G reduces MOSFET oscillation sensitivity
  • MOSFET is suitable for both hard and resonant switching topologies such as PFC and LLC
  • Excellent ruggedness during hard commutation of the body diode seen in LLC topology
  • Suitable for a wide variety of end applications and output powers
  • Parts available suitable for consumer and industrial applications
Potential Applications
  • TV power supply
  • Industrial SMPS
  • Server
  • Telecom 
  • Lighting
 


Maiores detalhes de IPD60R280P7S no site do fabricante:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/n-channel/500v-950v/ipd60r2


Tags de IPD60R280P7S: 60S280P7, 60R280P7, IPD60R280P7S, CoolMOS, IPD80R280P7ATMA1, Infineon

Semelhantes
IPD60R280P7S Mosfet 60S280P7 600V 12A CoolMOS P7 TO252-3