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Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets

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IRF640 Transistor Mosfet N-CH 200V 18A TO220 (Kit 2x)

Metalico original Vishay Semiconductor (Kit com 2 unidades)

IRF640 - Vishay
IRF640 Transistor Mosfet N-CH 200V 18A TO220 (Kit 2x)
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IRF640 Transistor Mosfet N-CH 200V 18A TO220 (Kit 2x)
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IRF640 Transistor Mosfet N-CH 200V 18A TO220 (Kit 2x)
Metalico original Vishay Semiconductor (Kit com 2 unidades)

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Outros PNs para este item:     IRF640PBF



Kit com 2 unidades, Mosfet metálico
Original Vishay
  
 Manufacturer: Vishay    
Product Category: MOSFET        
Technology: Si    
Mounting Style: Through Hole    
Package / Case: TO-220-3    
Transistor Polarity: N-Channel    
Number of Channels: 1 Channel    
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200V    
Id - Continuous Drain Current:    18A    
Rds On - Drain-Source Resistance:    180 mOhms    
Vgs - Gate-Source Voltage:    - 20 V, 20 V    
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:    4 V    
Qg - Gate Charge:    7 nC    
Minimum Operating Temperature:    - 55 C    
Maximum Operating Temperature:     150 C    
Pd - Power Dissipation:    125 mW    
Channel Mode:    Enhancement    
Series:    IRF    
Packaging:    Tube    
Brand:    Vishay Semiconductors    
Configuration:    Single    
Fall Time:    36 ns    
Height:    15.49 mm    
Length:    10.41 mm    
Product Type:    MOSFET    
Rise Time:    45 ns
  
 Kit com 2 unidades, Mosfet metálico
Original Vishay

Tags de IRF640: 1pirf640pbf, IRF640PBF, IRF 640, IRF640, IRF640N, Vishay

IRF640 Transistor Mosfet N-CH 200V 18A TO220 (Kit 2x) Metalico original Vishay Semiconductor (Kit com 2 unidades)

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Outros PNs para este componente:     IRF640PBF


Kit com 2 unidades, Mosfet metálico
Original Vishay
  
 Manufacturer: Vishay    
Product Category: MOSFET        
Technology: Si    
Mounting Style: Through Hole    
Package / Case: TO-220-3    
Transistor Polarity: N-Channel    
Number of Channels: 1 Channel    
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200V    
Id - Continuous Drain Current:    18A    
Rds On - Drain-Source Resistance:    180 mOhms    
Vgs - Gate-Source Voltage:    - 20 V, 20 V    
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:    4 V    
Qg - Gate Charge:    7 nC    
Minimum Operating Temperature:    - 55 C    
Maximum Operating Temperature:     150 C    
Pd - Power Dissipation:    125 mW    
Channel Mode:    Enhancement    
Series:    IRF    
Packaging:    Tube    
Brand:    Vishay Semiconductors    
Configuration:    Single    
Fall Time:    36 ns    
Height:    15.49 mm    
Length:    10.41 mm    
Product Type:    MOSFET    
Rise Time:    45 ns
  
 Kit com 2 unidades, Mosfet metálico
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