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K4S561632E-TC75 5x Ci de memória DRAM SDRAM 256Mbit 16Mx16 Samsung

3.3V 54-Pin 256Mb E-die SDRAM

K4S561632E-TC75 - Samsung
K4S561632E-TC75 5x Ci de memória DRAM SDRAM 256Mbit 16Mx16 Samsung
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K4S561632E-TC75 5x Ci de memória DRAM SDRAM 256Mbit 16Mx16 Samsung
3.3V 54-Pin 256Mb E-die SDRAM

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5x unidades
 Ci de memória DRAM SDRAM 256Mbit 16Mx16 Samsung
 3.3V 54-Pin 256Mb E-die SDRAM
  
 The K4S560432E / K4S560832E / K4S561632E is 268,435,456 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 16,777,216 words by 4 bits / 4 x 8,388,608 words by 8bits / 4 x 4,194,304 words by 16bits, fabricated with SAMSUNGs high performance CMOS technology. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
- JEDEC standard 3.3V power supply
- LVTTL compatible with multiplexed address
- Four banks operation
- MRS cycle with address key programs
-. CAS latency (2 e 3)
-. Burst length (1, 2, 4, 8

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Tags de K4S561632E-TC75: K4S561632E-TC75, K4S561632E, K4S561632, K4S560432E, K4S560832E, K4S561632E, chip de memoria SDRAM, memoria NAND, K4S561632N-LC75, K4S561632H-UC75, K4S561632H, Samsung

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