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Memórias / DDR4 SODIMM 260 Pinos (Notebook)

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KCP432SS6/8 Kingston memoria 8GB DDR4 3200Mhz SODIMM

para notebook 260 pinos 1.2v CL22 PC4-25600

KCP432SS6/8 - Kingston
KCP432SS6/8 Kingston memoria 8GB DDR4 3200Mhz SODIMM
*As imagens podem ser ilustrativas
Kingston memoria 8GB DDR4 3200Mhz SODIMMKingston memoria 8GB DDR4 3200Mhz SODIMMKingston memoria 8GB DDR4 3200Mhz SODIMMKingston memoria 8GB DDR4 3200Mhz SODIMM

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Garantia:
12 meses Assist. Técnica do Fabricante

NCM:
84733042

Condição:
Novo em embalagem comercial

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12 meses Assist. Técnica do Fabricante

NCM: 84733042

KCP432SS6/8 Kingston memoria 8GB DDR4 3200Mhz SODIMM
para notebook 260 pinos 1.2v CL22 PC4-25600

Condição de KCP432SS6/8:    Novo em embalagem comercial

Garantia  de  KCP432SS6/8:     12 meses Assist. Técnica do Fabricante



Especificações KVR32S22S6/8: DDR4, 3200MHz, NonECC, CL22, X16, 1.2V, Unbuffered, SODIMM, 260pin, 1R, 16Gbit

Descrição:
O KVR32S22S6/8 da Kingston é um módulo de memória SODIMM DDR43200 1G x 64 bits (8GB) CL22 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx16, com base em quatro componentes FBGA 1G x 16bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR43200 tempo de 222222 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.

Recursos:
Fonte de alimentação: VDD 1,2 V típica
VDDQ 1,2 V típico
VPP 2,5 V típico
VDDSPD 2,2 V a 3,6 V
Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de máscara
Autoatualização de baixa potência (LPASR)
Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
Geração e calibração de VREFDQ na matriz
Singlerank
EEPROM de detecção de presença serial I2 onboard (SPD)
8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS)
Selecionável BC4 ou BL8 onthefly (OTF)
Topologia flyby
Comando de controle terminado e barramento de endereço
PCB: Altura 1,23 (30,00 mm)
Compatível com RoHS e livre de halogênio

Especificações:
CL (IDD): 22 ciclos
Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
Classificação UL: 94 V0
Temperatura de operação: 0ºC a 85ºC
Temperatura de armazenamento: 55ºC a 100ºC.

Maiores detalhes de KCP432SS6/8 no site do fabricante:
https://www.kingston.com/br/memory/ddr4-overview


Vídeo de KCP432SS6/8 Kingston memoria 8GB DDR4 3200Mhz SODIMM



Tags de KCP432SS6/8: PC4-25600, KCP432SS6/8, KCP432SS6/8GB, KCP432SS8/8, KCP432SS8/8GB, =KCP432SS6/8, 7406173114026, KCP432NS6/8, DDR4 para notebook, memoria 8GB DDR4 notebook, memoria 8GB DDR4 notebok, memoria para notebook 8Gb DDR4, memoria de notebook 8Gb DDR4m DDR4 SODIMM 3200Mhz 8GB, ddr4 8g para notebook, 8G DDR4 para notebook, DDR4 2400 8GB notebook, HMA81GS6DJR8N-XN, Kingston

KCP432SS6/8 Kingston memoria 8GB DDR4 3200Mhz SODIMM para notebook 260 pinos 1.2v CL22 PC4-25600

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Novo em embalagem comercial

Garantia  de  KCP432SS6/8:
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Especificações KVR32S22S6/8: DDR4, 3200MHz, NonECC, CL22, X16, 1.2V, Unbuffered, SODIMM, 260pin, 1R, 16Gbit

Descrição:
O KVR32S22S6/8 da Kingston é um módulo de memória SODIMM DDR43200 1G x 64 bits (8GB) CL22 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx16, com base em quatro componentes FBGA 1G x 16bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR43200 tempo de 222222 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.

Recursos:
Fonte de alimentação: VDD 1,2 V típica
VDDQ 1,2 V típico
VPP 2,5 V típico
VDDSPD 2,2 V a 3,6 V
Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de máscara
Autoatualização de baixa potência (LPASR)
Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
Geração e calibração de VREFDQ na matriz
Singlerank
EEPROM de detecção de presença serial I2 onboard (SPD)
8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS)
Selecionável BC4 ou BL8 onthefly (OTF)
Topologia flyby
Comando de controle terminado e barramento de endereço
PCB: Altura 1,23 (30,00 mm)
Compatível com RoHS e livre de halogênio

Especificações:
CL (IDD): 22 ciclos
Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
Classificação UL: 94 V0
Temperatura de operação: 0ºC a 85ºC
Temperatura de armazenamento: 55ºC a 100ºC.

Maiores detalhes de KCP432SS6/8 no site do fabricante:
https://www.kingston.com/br/memory/ddr4-overview


Vídeo de KCP432SS6/8 Kingston memoria 8GB DDR4 3200Mhz SODIMM



Tags de KCP432SS6/8: PC4-25600, KCP432SS6/8, KCP432SS6/8GB, KCP432SS8/8, KCP432SS8/8GB, =KCP432SS6/8, 7406173114026, KCP432NS6/8, DDR4 para notebook, memoria 8GB DDR4 notebook, memoria 8GB DDR4 notebok, memoria para notebook 8Gb DDR4, memoria de notebook 8Gb DDR4m DDR4 SODIMM 3200Mhz 8GB, ddr4 8g para notebook, 8G DDR4 para notebook, DDR4 2400 8GB notebook, HMA81GS6DJR8N-XN, Kingston

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