Memórias / DDR3 240 Pinos (PC) / 4GB / KHX1600C9D3LK2/4GX

KHX1600C9D3LK2/4GX Memoria Kingston HyperX 4GB Kit (2x 2GB)

Name: KHX1600C9D3LK2/4GX Memoria Kingston HyperX 4GB Kit (2x 2GB)
Brand: Kingston
SKU: KHX1600C9D3LK2/4GX
Price: 299.00 BRL
Availability: InStock

LOVO DDR3 1600MHZ CL9 240 Pinos DIMM

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Condição:

Novo em embalagem comercial

Garantia:

Lifetime Assist. Técnica do Fabricante

NCM:

84733042

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NCM: 84733042

Cotação PJ mais de uma unidade

Indicar KHX1600C9D3LK2/4GX

KHX1600C9D3LK2/4GX Memoria Kingston HyperX 4GB Kit (2x 2GB)
LOVO DDR3 1600MHZ CL9 240 Pinos DIMM

Condição de KHX1600C9D3LK2/4GX: Novo em embalagem comercial

Garantia de KHX1600C9D3LK2/4GX: Lifetime Assist. Técnica do Fabricante

• KHX1600C9D3LK2/4GX Kingston é um kit de dois 256M x 64-bit (2GB) DDR3L-1600 CL9 SDRAM (Synchronous DRAM), 2Rx8, de baixa tensão, módulos de memória, com base em dezasseis 128M x 8-bit Componentes FBGA por módulo. Cada kit módulo suporta Intel ®

• XMP (Extreme Memory Profiles). Capacidade total é de kit de 4GB. Cada kit módulo foi testado para ser executado em DDR3L-1600 em um

• sincronismo de baixa latência de 9-9-9-27 a 1.35V. DOCUP são programados de JEDEC padrão de temporização latência de DDR3-1333

• 9-9-9 com 1.5V. Cada DIMM de 240 pinos usa ouro contato dedos.

• CARACTERÍSTICAS

• JEDEC padrão 1.5V (1.425V ~ 1.575V) Fonte de Alimentação

• VDDQ = 1,5 V (1.425V ~ 1.575V)

• 667 FCK para 1333Mb/sec/pin

• 8 bancária interna independente

• Programmable CAS Latency: 9, 8, 7, 6

• Latência Aditivo programáveis: 0, CL - 2 ou CL - 1 relógio

• Programmable CAS Latency Write (CWL) = 7 (DDR3-1333)

• 8 bits pré-busca

• Comprimento Burst: 8 (Interleave sem qualquer limite, seqüencial com endereço inicial000 só), quatro com TCCD = 4 que não

• permitir perfeita ler ou escrever [tanto em tempo real usando ou A12 MRS]

• Bi-direcional diferencial Strobe de dados

• Interna de calibração (self): auto-calibração interno através ZQ pino (RZQ: 240 ohm ± 1%)

• Terminação Die usando ODT pin

• Média 7.8us período de atualização na inferior TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C

• Reset assíncrono

Maiores detalhes de KHX1600C9D3LK2/4GX no site do fabricante:

Vídeo de KHX1600C9D3LK2/4GX Memoria Kingston HyperX 4GB Kit (2x 2GB)

Tags de KHX1600C9D3LK2/4GX: KHX1600C9D3LK2/4GX LOVO, KHX1600C9D3LK24GX, KHX1600C9D3LK2/ 4GX, Memória, memorias, Hyper X, Kingston

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• XMP (Extreme Memory Profiles). Capacidade total é de kit de 4GB. Cada kit módulo foi testado para ser executado em DDR3L-1600 em um

• sincronismo de baixa latência de 9-9-9-27 a 1.35V. DOCUP são programados de JEDEC padrão de temporização latência de DDR3-1333

• 9-9-9 com 1.5V. Cada DIMM de 240 pinos usa ouro contato dedos.

• CARACTERÍSTICAS

• JEDEC padrão 1.5V (1.425V ~ 1.575V) Fonte de Alimentação

• VDDQ = 1,5 V (1.425V ~ 1.575V)

• 667 FCK para 1333Mb/sec/pin

• 8 bancária interna independente

• Programmable CAS Latency: 9, 8, 7, 6

• Latência Aditivo programáveis: 0, CL - 2 ou CL - 1 relógio

• Programmable CAS Latency Write (CWL) = 7 (DDR3-1333)

• 8 bits pré-busca

• Comprimento Burst: 8 (Interleave sem qualquer limite, seqüencial com endereço inicial000 só), quatro com TCCD = 4 que não

• permitir perfeita ler ou escrever [tanto em tempo real usando ou A12 MRS]

• Bi-direcional diferencial Strobe de dados

• Interna de calibração (self): auto-calibração interno através ZQ pino (RZQ: 240 ohm ± 1%)

• Terminação Die usando ODT pin

• Média 7.8us período de atualização na inferior TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C

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