KVR26S19S6/4 Kingston memoria 4GB DDR4 2666MHz CL19 1.2V

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Kingston memoria 4GB DDR4 2666MHz CL19 1.2V

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Condição:

Novo em embalagem comercial

Garantia:

12 meses direto com a Net Computadores

NCM:

84733042

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KVR26S19S6/4 Kingston memoria 4GB DDR4 2666MHz CL19 1.2V

Condição de KVR26S19S6/4: Novo em embalagem comercial

Garantia de KVR26S19S6/4: 12 meses direto com a Net Computadores

4GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 SODIMM 1Rx16 A partir do momento que a memória DDR3 atingiu seus limites no mundo da tecnologia, em constante mudança, onde se exige maior desempenho e maior largura de banda, surgiu uma nova geração de memórias SDRAM DDR no horizonte: a DDR4.
Previsto no final de 2014, o DDR4 promete oferecer três coisas: maior desempenho, maiores capacidades de DIMM e menor consumo de energia.
Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40%.

Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para verificação de integridade de comando e endereço transferidos por um link, integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS.

Especificações:

Tecnologia	Taxa	Classificação módulos	Largura máx. banda
DDR4 (1.2V) DDR4L (1.1V)	2133	DDR4-2133	17000MB/s or 17 GB/s
2400	DDR4-2400	19200 MB/s or 19.2 GB/s
2667	DDR4-2667	21300 MB/s or 21.3 GB/s
3200	DDR4-3200	25600 MB/s or 25.6 GB/s

Descrição	DDR4	Vantagens
Chip Densities	4Gb - 16Gb	Larger DIMM Capacities
Data Rates	1600Mb/s - 3200Mb/s	Migration to Higher-Speed I/O
Voltage	1.2V	Reduced Memory Power Demand
Low Voltage Standard	Anticipated at 1.1V	Memory Power Reductions
Internal Banks	16	More Banks
Bank Groups (BG)	4	Faster Burst Accesses
VREF inputs	1 - CMD/ADDR	VREFDQ Now Internal
tCK - DLL Enabled	667MHz - 1.6GHz	Higher Data Rates
tCK - DLL Disabled	Undefined to 125MHz	DLL-off now fully supported
Read Latency	AL CL	Expanded Values
Write Latency	AL CWL	Expanded Values
DQ Driver (ALT)	48 -	Optimal for PtP pplications
DQ Bus	POD12	Less I/O Noise and Power
RTT Values (in -)	240, 120, 80, 60, 48, 40, 34	Support for Higher Data Rates
RTT Not Allowed	Disables during Read Bursts	Ease-of-Use
ODT Modes	Nominal, Dynamic, Park	Add-l Control Mode; OTF Value Change
ODT Control	ODT Signaling NOT Required	Ease of ODT Control; Allows Non-ODT Routing, PtP Apps
Multi-Purpose Register	Four Registers - 3 Defined, 1 RFU	Provides Additional Specialty Readout
DIMM Types	RDIMM, LRDIMM, UDIMM/ SODIMM
DIMM Pins	288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS	CRC, Parity, Addressability, GDM	More RAS Features, Improved Data Integrity

Vídeo de KVR26S19S6/4 Kingston memoria 4GB DDR4 2666MHz CL19 1.2V

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4GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 SODIMM 1Rx16

A partir do momento que a memória DDR3 atingiu seus limites no mundo da tecnologia, em constante mudança, onde se exige maior desempenho e maior largura de banda, surgiu uma nova geração de memórias SDRAM DDR no horizonte: a DDR4.
Previsto no final de 2014, o DDR4 promete oferecer três coisas: maior desempenho, maiores capacidades de DIMM e menor consumo de energia.
Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40%.

Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para verificação de integridade de comando e endereço transferidos por um link, integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS.

Especificações:

Tecnologia	Taxa	Classificação módulos	Largura máx. banda
DDR4 (1.2V) DDR4L (1.1V)	2133	DDR4-2133	17000MB/s or 17 GB/s
2400	DDR4-2400	19200 MB/s or 19.2 GB/s
2667	DDR4-2667	21300 MB/s or 21.3 GB/s
3200	DDR4-3200	25600 MB/s or 25.6 GB/s

Descrição	DDR4	Vantagens
Chip Densities	4Gb - 16Gb	Larger DIMM Capacities
Data Rates	1600Mb/s - 3200Mb/s	Migration to Higher-Speed I/O
Voltage	1.2V	Reduced Memory Power Demand
Low Voltage Standard	Anticipated at 1.1V	Memory Power Reductions
Internal Banks	16	More Banks
Bank Groups (BG)	4	Faster Burst Accesses
VREF inputs	1 - CMD/ADDR	VREFDQ Now Internal
tCK - DLL Enabled	667MHz - 1.6GHz	Higher Data Rates
tCK - DLL Disabled	Undefined to 125MHz	DLL-off now fully supported
Read Latency	AL CL	Expanded Values
Write Latency	AL CWL	Expanded Values
DQ Driver (ALT)	48 -	Optimal for PtP pplications
DQ Bus	POD12	Less I/O Noise and Power
RTT Values (in -)	240, 120, 80, 60, 48, 40, 34	Support for Higher Data Rates
RTT Not Allowed	Disables during Read Bursts	Ease-of-Use
ODT Modes	Nominal, Dynamic, Park	Add-l Control Mode; OTF Value Change
ODT Control	ODT Signaling NOT Required	Ease of ODT Control; Allows Non-ODT Routing, PtP Apps
Multi-Purpose Register	Four Registers - 3 Defined, 1 RFU	Provides Additional Specialty Readout
DIMM Types	RDIMM, LRDIMM, UDIMM/ SODIMM
DIMM Pins	288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS	CRC, Parity, Addressability, GDM	More RAS Features, Improved Data Integrity