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MCR12DSNT4G Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x)

Kit com 5 unidades (marcação: 218 R1 2DSNG)

MCR12DSNT4G - ON Semiconductor
MCR12DSNT4G Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x)
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Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x)Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x)Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x)Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x)Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x)Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x)Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x)Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x)

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MCR12DSNT4G Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x)
Kit com 5 unidades (marcação: 218 R1 2DSNG)

Condição de MCR12DSNT4G:    Novo em embalagem antiestática

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Outros PNs para este item:     MCR12DSN, 218 R1 2DSNG



- Kit com 5 unidades
 - Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO-252
 - Marcação no componente: 218 R1 2DSNG
- Original On Semiconductor
  
 Categoria de produto: SCRs   
Série: MCR12DSN    
IBO máx. de corrente de abertura:    100 A    
Voltagem de estado de corte repetitivo classificada VDRM:    800 V    
Corrente de fuga de estado de corte  VDRM IDRM:    10 uA    
Corrente RMS no estado - RMS It:    12 A    
Vf - Tensão no sentido direto:    1.9 V    
Tensão inversa de pico de gate máxima:    18 V    
Tensão de disparo de gatilho - Vgt:    1 V    
Corrente de disparo de gatilho - Igt:    200 uA    
Temperatura operacional mínima:    - 40 C    
Temperatura operacional máxima:     110 C    
Estilo de montagem:    SMD/SMT    
Potência nominal:    7.6 A    
Altura:  2.38 mm    
Corrente de retenção - Ih máximo: 6 mA    
Comprimento: 6.73 mm    
Corrente On-State não repetitiva:  100 A 

Vídeo de MCR12DSNT4G Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x)



Tags de MCR12DSNT4G: MCR12DSNT4G, MCR12DSN, Triac, Tiristor, 218 R1 2DSNG, 218R1, 218R12DSNG, TIC126D, BT151, ON Semiconductor

MCR12DSNT4G Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO252 (Kit 5x) Kit com 5 unidades (marcação: 218 R1 2DSNG)

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Outros PNs para este componente:     MCR12DSN, 218 R1 2DSNG


- Kit com 5 unidades
 - Transistor THYRISTOR SCR 800V 12A TO-252
 - Marcação no componente: 218 R1 2DSNG
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 Categoria de produto: SCRs   
Série: MCR12DSN    
IBO máx. de corrente de abertura:    100 A    
Voltagem de estado de corte repetitivo classificada VDRM:    800 V    
Corrente de fuga de estado de corte  VDRM IDRM:    10 uA    
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Estilo de montagem:    SMD/SMT    
Potência nominal:    7.6 A    
Altura:  2.38 mm    
Corrente de retenção - Ih máximo: 6 mA    
Comprimento: 6.73 mm    
Corrente On-State não repetitiva:  100 A 

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Tags de MCR12DSNT4G: MCR12DSNT4G, MCR12DSN, Triac, Tiristor, 218 R1 2DSNG, 218R1, 218R12DSNG, TIC126D, BT151, ON Semiconductor

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