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MUN5214DW1T1G 10x Bipolar Transistors Pre Biased SS BR XSTR NPN 50V

NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network - SOT 363

MUN5214DW1T1G - ON Semiconductor
MUN5214DW1T1G 10x Bipolar Transistors Pre Biased SS BR XSTR NPN 50V
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R$ 29,00

à vista no Pix ou Boleto

ou R$ 30,53 em 1x no cartão (via site)

ou R$ 32,22 no cartão em até 10x sem juros (apenas na loja física)

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Garantia:
12 meses direto com a Net Computadores

NCM:
85423190

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Condição:
Novo em embalagem antiestática

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MUN5214DW1T1G 10x Bipolar Transistors Pre Biased SS BR XSTR NPN 50V
NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network - SOT 363

Condição de MUN5214DW1T1G:    Novo em embalagem antiestática

Garantia  de  MUN5214DW1T1G:     12 meses direto com a Net Computadores



Kit com 10 unidades
Bipolar Transistors Pre Biased SS BR XSTR NPN 50V
NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
Encapsulamento: SOT 363
 
Esta série de transistores digitais foi projetada para substituir um único dispositivo e sua rede de polarização externa. O Transistor com Resistor de Polarização (BRT) contém um único transistor com uma rede de polarização monolítica composta por dois resistores: um resistor de base em série e um resistor base-emissor. O BRT elimina esses componentes individuais ao integrá-los em um único dispositivo. O uso de um BRT pode reduzir tanto o custo do sistema quanto o espaço ocupado na placa.
 
 
Fabricante: Respiradouro
Categoria do produto: Transistores bipolares - pré-polarizados
Configuração: Dual
Polaridade do transistor: NPN
Resistor de entrada típico: 10 kOhms
Relação típica de resistência: 0,21
Estilo de montagem: SMD/SMT
Embalagem/Caixa: SOT-363-6
Ganho CC coletor/base hfe Mín.: 80
Tensão coletor-emissor VCEO máx.: 50V
Corrente contínua do coletor: 100 mA
Corrente de pico do coletor CC: 100 mA
Pd - Dissipação de energia: 256 mW
Temperatura mínima de funcionamento: - 55C
Temperatura máxima de funcionamento: 150 C
Série: MUN5214DW1
Embalagem: Carretel
Embalagem: Fita cortada
Embalagem: MouseReel
Marca: Respiradouro
Ganho de corrente CC hFE Máx.: 80
Altura: 0,9 mm
Comprimento: 2 mm
Tipo de produto: BJTs - Transistores Bipolares - Pré-polarizados


Maiores detalhes de MUN5214DW1T1G no site do fabricante:


Vídeo de MUN5214DW1T1G 10x Bipolar Transistors Pre Biased SS BR XSTR NPN 50V



Tags de MUN5214DW1T1G: MUN5214DW1, NSBC114YDXV6, NSBC114YDP6, MUN5214DW1T1G, NSBA114EDxx, NSBA114ED, ci 6 terminais, transistor 6 terminais, SOT?363, SOT363, SOT-363, ci 7DM, IC 7DM,, ON Semiconductor

MUN5214DW1T1G 10x Bipolar Transistors Pre Biased SS BR XSTR NPN 50V NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network - SOT 363

Condição de MUN5214DW1T1G:
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NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
Encapsulamento: SOT 363
 
Esta série de transistores digitais foi projetada para substituir um único dispositivo e sua rede de polarização externa. O Transistor com Resistor de Polarização (BRT) contém um único transistor com uma rede de polarização monolítica composta por dois resistores: um resistor de base em série e um resistor base-emissor. O BRT elimina esses componentes individuais ao integrá-los em um único dispositivo. O uso de um BRT pode reduzir tanto o custo do sistema quanto o espaço ocupado na placa.
 
 
Fabricante: Respiradouro
Categoria do produto: Transistores bipolares - pré-polarizados
Configuração: Dual
Polaridade do transistor: NPN
Resistor de entrada típico: 10 kOhms
Relação típica de resistência: 0,21
Estilo de montagem: SMD/SMT
Embalagem/Caixa: SOT-363-6
Ganho CC coletor/base hfe Mín.: 80
Tensão coletor-emissor VCEO máx.: 50V
Corrente contínua do coletor: 100 mA
Corrente de pico do coletor CC: 100 mA
Pd - Dissipação de energia: 256 mW
Temperatura mínima de funcionamento: - 55C
Temperatura máxima de funcionamento: 150 C
Série: MUN5214DW1
Embalagem: Carretel
Embalagem: Fita cortada
Embalagem: MouseReel
Marca: Respiradouro
Ganho de corrente CC hFE Máx.: 80
Altura: 0,9 mm
Comprimento: 2 mm
Tipo de produto: BJTs - Transistores Bipolares - Pré-polarizados


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Tags de MUN5214DW1T1G: MUN5214DW1, NSBC114YDXV6, NSBC114YDP6, MUN5214DW1T1G, NSBA114EDxx, NSBA114ED, ci 6 terminais, transistor 6 terminais, SOT?363, SOT363, SOT-363, ci 7DM, IC 7DM,, ON Semiconductor

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