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Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets / Mosfet Duplo N-P / NDS9952A
Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets

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NDS9952A Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8

Dual Dual Drain N+P Channel (N-Channel P-Channel) 0.06ohm 10V 1.7V SOIC-8

NDS9952A - Fairchild Semiconductor
NDS9952A Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8
*As imagens podem ser ilustrativas
Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8

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85044060

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NDS9952A Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8
Dual Dual Drain N+P Channel (N-Channel P-Channel) 0.06ohm 10V 1.7V SOIC-8

Condição de NDS9952A:    Novo em embalagem comercial

Garantia  de  NDS9952A:     3 meses direto com a Net Computadores



Fabricante: ON Semiconductor 
Categoria de produto: MOSFET 
RoHS:  Detalhes  
Tecnologia: Si 
Estilo de montagem: SMD/SMT 
Caixa / Gabinete: SO-8 
Número de canais: 2 Channel 
Polaridade do transistor: N-Channel, P-Channel 
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V 
Id - Corrente de drenagem contínua: 3.7 A 
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 80 mOhms 
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 20 V 
Temperatura operacional mínima: - 55 C 
Temperatura operacional máxima: + 150 C 
Configuração: Dual Dual Drain 
Modo de canal: Enhancement 
Embalagem: Cut Tape 
Embalagem: MouseReel 
Embalagem: Reel 
Altura: 1.75 mm  
Comprimento: 4.9 mm  
Série: NDS9952A  
Tipo de transistor: 1 N-Channel, 1 P-Channel  
Largura: 3.9 mm  
Marca: ON Semiconductor / Fairchild  
Transcondutância em avanço - Mín: 6 S, 4 S  
Tempo de queda: 5 ns, 8 ns  
Pd - Dissipação de potência: 2 W  
Tempo de ascensão: 13 ns, 21 ns  

Tags de NDS9952A: NDS9952A, NDS9952, 9952A, SOIC-8, mosfet Dual, 512-NDS9952A, NDS9952A-F011, NDS9952ACT-ND, Fairchild Semiconductor, Fairchild Semiconductor

NDS9952A Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8 Dual Dual Drain N+P Channel (N-Channel P-Channel) 0.06ohm 10V 1.7V SOIC-8

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Fabricante: ON Semiconductor 
Categoria de produto: MOSFET 
RoHS:  Detalhes  
Tecnologia: Si 
Estilo de montagem: SMD/SMT 
Caixa / Gabinete: SO-8 
Número de canais: 2 Channel 
Polaridade do transistor: N-Channel, P-Channel 
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V 
Id - Corrente de drenagem contínua: 3.7 A 
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 80 mOhms 
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 20 V 
Temperatura operacional mínima: - 55 C 
Temperatura operacional máxima: + 150 C 
Configuração: Dual Dual Drain 
Modo de canal: Enhancement 
Embalagem: Cut Tape 
Embalagem: MouseReel 
Embalagem: Reel 
Altura: 1.75 mm  
Comprimento: 4.9 mm  
Série: NDS9952A  
Tipo de transistor: 1 N-Channel, 1 P-Channel  
Largura: 3.9 mm  
Marca: ON Semiconductor / Fairchild  
Transcondutância em avanço - Mín: 6 S, 4 S  
Tempo de queda: 5 ns, 8 ns  
Pd - Dissipação de potência: 2 W  
Tempo de ascensão: 13 ns, 21 ns  

Tags de NDS9952A: NDS9952A, NDS9952, 9952A, SOIC-8, mosfet Dual, 512-NDS9952A, NDS9952A-F011, NDS9952ACT-ND, Fairchild Semiconductor, Fairchild Semiconductor

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