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Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets / Mosfet Duplo N-P / NDS9952A
Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets

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NDS9952A MOSFET Duplo canal N e P 3.7 A 30V SO8

Dual Drain N+P Channel N-Channel P-Channel 0.06ohm 10V 1.7V SOIC-8

NDS9952A - Fairchild Semiconductor
NDS9952A MOSFET Duplo canal N e P 3.7 A 30V SO8
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*As imagens podem ser ilustrativas
NDS9952A MOSFET Duplo canal N e P 3.7 A 30V SO8
NDS9952A MOSFET Duplo canal N e P 3.7 A 30V SO8
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NDS9952A MOSFET Duplo canal N e P 3.7 A 30V SO8
Dual Drain N+P Channel N-Channel P-Channel 0.06ohm 10V 1.7V SOIC-8

Condição de NDS9952A:    Novo em embalagem comercial

Garantia  de  NDS9952A:     3 meses direto com a Net Computadores



MOSFET duplo de canal N e P 3.7 A, 30V SO8
 Dreno duplo duplo N+P Channel N-Channel P-Channel 0,06 ohm 10 V 1,7 V SOIC- 8
  
 Fabricante: ON Semiconductor 
 Categoria de produto: MOSFET 
 RoHS:  Detalhes  
 Tecnologia: Sim 
 Estilo de montagem: SMD/SMT 
 Caixa / Gabinete: SO-8 
 Número de canais: 2 Channel 
 Polaridade do transistor: N-Channel, P-Channel 
 Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V 
 Id - Corrente de drenagem contínua: 3.7 A 
 Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 80 mOhms 
 Vgs - Voltagem de porta e fonte: 20 V 
 Temperatura operacional mínima: - 55 C 
 Temperatura operacional máxima: + 150 C 
 Configuração: Dual Dual Drain 
 Modo de canal: Aprimoramento 
 Embalagem: Cut Tape 
 Embalagem: MouseReel 
 Embalagem: Reel 
 Altura: 1.75 mm  
 Comprimento: 4.9 mm  
 Série: NDS9952A  
 Tipo de transistor: 1 N-Channel, 1 P-Channel  
 Largura: 3.9 mm  
 Marca: ON Semiconductor / Fairchild  
 Transcondutância em avanço - Min: 6 S, 4 S  
 Tempo de queda: 5 ns, 8 ns  
 Pd - Dissipação de potência: 2 W  
 Tempo de ascensão: 13 ns, 21 ns  

Maiores detalhes de NDS9952A no site do fabricante:


Tags de NDS9952A: NDS9952A, NDS9952, 9952A, SOIC-8, mosfet Dual, 512-NDS9952A, NDS9952A-F011, NDS9952ACT-ND, Fairchild Semiconductor, Fairchild Semiconductor

NDS9952A MOSFET Duplo canal N e P 3.7 A 30V SO8 Dual Drain N+P Channel N-Channel P-Channel 0.06ohm 10V 1.7V SOIC-8

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 Dreno duplo duplo N+P Channel N-Channel P-Channel 0,06 ohm 10 V 1,7 V SOIC- 8
  
 Fabricante: ON Semiconductor 
 Categoria de produto: MOSFET 
 RoHS:  Detalhes  
 Tecnologia: Sim 
 Estilo de montagem: SMD/SMT 
 Caixa / Gabinete: SO-8 
 Número de canais: 2 Channel 
 Polaridade do transistor: N-Channel, P-Channel 
 Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V 
 Id - Corrente de drenagem contínua: 3.7 A 
 Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 80 mOhms 
 Vgs - Voltagem de porta e fonte: 20 V 
 Temperatura operacional mínima: - 55 C 
 Temperatura operacional máxima: + 150 C 
 Configuração: Dual Dual Drain 
 Modo de canal: Aprimoramento 
 Embalagem: Cut Tape 
 Embalagem: MouseReel 
 Embalagem: Reel 
 Altura: 1.75 mm  
 Comprimento: 4.9 mm  
 Série: NDS9952A  
 Tipo de transistor: 1 N-Channel, 1 P-Channel  
 Largura: 3.9 mm  
 Marca: ON Semiconductor / Fairchild  
 Transcondutância em avanço - Min: 6 S, 4 S  
 Tempo de queda: 5 ns, 8 ns  
 Pd - Dissipação de potência: 2 W  
 Tempo de ascensão: 13 ns, 21 ns  

Maiores detalhes de NDS9952A no site do fabricante:


Tags de NDS9952A: NDS9952A, NDS9952, 9952A, SOIC-8, mosfet Dual, 512-NDS9952A, NDS9952A-F011, NDS9952ACT-ND, Fairchild Semiconductor, Fairchild Semiconductor

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