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RD07MUS2B Transistor Mosfet amplificador de RF VHF/UHF 7W

175Mhz, 527Mhz, 870MHz

RD07MUS2B - MITSUBISHI Electric
RD07MUS2B Transistor Mosfet amplificador de RF VHF/UHF 7W
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Transistor Mosfet amplificador de RF VHF/UHF 7WTransistor Mosfet amplificador de RF VHF/UHF 7WTransistor Mosfet amplificador de RF VHF/UHF 7WTransistor Mosfet amplificador de RF VHF/UHF 7WTransistor Mosfet amplificador de RF VHF/UHF 7WTransistor Mosfet amplificador de RF VHF/UHF 7WTransistor Mosfet amplificador de RF VHF/UHF 7WTransistor Mosfet amplificador de RF VHF/UHF 7W

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RD07MUS2B Transistor Mosfet amplificador de RF VHF/UHF 7W
175Mhz, 527Mhz, 870MHz

Condição de RD07MUS2B:    Novo em embalagem antiestática

Garantia  de  RD07MUS2B:     3 meses direto com a Net Computadores



O transistor RD07MUS2B é um transistor MOS FET de potência de RF fabricado pela Mitsubishi Electric. Ele é projetado especificamente para uso em amplificadores de potência de RF (rádio frequência).
Suas principais aplicações são:
- Estágios de saída de amplificadores de alta potência em rádios móveis que operam nas bandas VHF, UHF e 800MHz/870MHz.
 - Sistemas de comunicação sem fio.
 - Sistemas de radar.
 - Outros dispositivos de alta frequência.
  
 Part Numbers: RD07MUS2B, RD07MUS2B-601, RD07MUS2B-T612, RD07MUS2B-T614
  
 Fabricante: Mitsubishi Electric
Tensão de alimentação: 7.2V
Frequência operacional: 175 / 527 / 870MHz
Potência dissipada: 7W
Encapsulamento: SLP    
Eficiência no dreno: 58%

Maiores detalhes de RD07MUS2B no site do fabricante:
https://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/content/product/highfrequency/


Tags de RD07MUS2B: RD07MUS2B, RD07MUS2, RD07MUS2B, RD07MUS2B-T212, amplificador de potência de RF de alta freqüência, RD07 MUS2B, TRANSISTOR AMPLIFICADOR DE rf, TRANSISTOR DE RF, Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs, RD07MUS2B-601, RD07MUS2B-T612, RD07MUS2B-T614, RA07M4452M, RD08MUS2, RD07MUS2BT512J, RD07MUP28, MITSUBISHI Electric

RD07MUS2B Transistor Mosfet amplificador de RF VHF/UHF 7W 175Mhz, 527Mhz, 870MHz

Condição de RD07MUS2B:
Novo em embalagem antiestática

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O transistor RD07MUS2B é um transistor MOS FET de potência de RF fabricado pela Mitsubishi Electric. Ele é projetado especificamente para uso em amplificadores de potência de RF (rádio frequência).
Suas principais aplicações são:
- Estágios de saída de amplificadores de alta potência em rádios móveis que operam nas bandas VHF, UHF e 800MHz/870MHz.
 - Sistemas de comunicação sem fio.
 - Sistemas de radar.
 - Outros dispositivos de alta frequência.
  
 Part Numbers: RD07MUS2B, RD07MUS2B-601, RD07MUS2B-T612, RD07MUS2B-T614
  
 Fabricante: Mitsubishi Electric
Tensão de alimentação: 7.2V
Frequência operacional: 175 / 527 / 870MHz
Potência dissipada: 7W
Encapsulamento: SLP    
Eficiência no dreno: 58%

Maiores detalhes de RD07MUS2B no site do fabricante:
https://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/content/product/highfrequency/


Tags de RD07MUS2B: RD07MUS2B, RD07MUS2, RD07MUS2B, RD07MUS2B-T212, amplificador de potência de RF de alta freqüência, RD07 MUS2B, TRANSISTOR AMPLIFICADOR DE rf, TRANSISTOR DE RF, Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs, RD07MUS2B-601, RD07MUS2B-T612, RD07MUS2B-T614, RA07M4452M, RD08MUS2, RD07MUS2BT512J, RD07MUP28, MITSUBISHI Electric

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