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RQ3E100BN 5x Transistor Mosfet E100NB N-Channel 30V 21A HSMT8

kit com 5 unidades

RQ3E100BN - ROHM CO. LTD
RQ3E100BN 5x Transistor Mosfet E100NB N-Channel 30V 21A HSMT8
RQ3E100BN 5x Transistor Mosfet E100NB N-Channel 30V 21A HSMT8
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Garantia:
7 dias troca. Sem garantia após soldado

NCM:
85423190

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Condição:
Novo em embalagem antiestática

Garantia:
0 meses direto com a Net Computadores

NCM: 85423190

RQ3E100BN 5x Transistor Mosfet E100NB N-Channel 30V 21A HSMT8
kit com 5 unidades

Condição de RQ3E100BN:    Novo em embalagem antiestática

Garantia  de  RQ3E100BN:     7 dias troca. Sem garantia após soldado

Outros PNs para este item:     RQ3E100BNTB1



Kit com 5 unidades
 Transistor Mosfet E100NB N-Channel 30V 21A HSMT8
  
 Especificações:
Código do encapsulamento: HSMT8 (3,3x3,3)
Aplicações: Comutação, Motor
Número de terminais: 8
Polaridade: Nch
Tensão dreno-fonte VDSS[V]: 30
Corrente de dreno ID[A]: 21
RDS(on)[] VGS4,5V(Típ.): 0,011
RDS(on)[] VGS10V(Típ.): 0,0077
RDS(on)[] VGSDrive (Típ.): 0,011
Carga total de porta Qg[nC]: 10,5
Dissipação de potência (PD)[W]: 15
Tensão de acionamento[V]: 4,5
Estilo de montagem: Montagem em superfície
Número da peça do chip nu: Disponível: K4015
Temperatura de armazenamento (mín.)[C]: 55
Temperatura de armazenamento (máx.)[C]: 150
Tamanho do encapsulamento [mm]: 3,3x3,3 (t0,75)

Maiores detalhes de RQ3E100BN no site do fabricante:
https://www.rohm.com/products/mosfets/small-signal/single-nch/rq3e100bn-product


Tags de RQ3E100BN: RQ3E100BN, RQ3E100BNFU7TB, RQ3E100GN, RQ3E100GNTB, RQ3E100BNTB1, K4015, ROHM CO. LTD

RQ3E100BN 5x Transistor Mosfet E100NB N-Channel 30V 21A HSMT8 kit com 5 unidades

Condição de RQ3E100BN:
Novo em embalagem antiestática

Garantia  de  RQ3E100BN:
 7 dias troca. Sem garantia após soldado

Outros PNs para este componente:     RQ3E100BNTB1


Kit com 5 unidades
 Transistor Mosfet E100NB N-Channel 30V 21A HSMT8
  
 Especificações:
Código do encapsulamento: HSMT8 (3,3x3,3)
Aplicações: Comutação, Motor
Número de terminais: 8
Polaridade: Nch
Tensão dreno-fonte VDSS[V]: 30
Corrente de dreno ID[A]: 21
RDS(on)[] VGS4,5V(Típ.): 0,011
RDS(on)[] VGS10V(Típ.): 0,0077
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Carga total de porta Qg[nC]: 10,5
Dissipação de potência (PD)[W]: 15
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Estilo de montagem: Montagem em superfície
Número da peça do chip nu: Disponível: K4015
Temperatura de armazenamento (mín.)[C]: 55
Temperatura de armazenamento (máx.)[C]: 150
Tamanho do encapsulamento [mm]: 3,3x3,3 (t0,75)

Maiores detalhes de RQ3E100BN no site do fabricante:
https://www.rohm.com/products/mosfets/small-signal/single-nch/rq3e100bn-product


Tags de RQ3E100BN: RQ3E100BN, RQ3E100BNFU7TB, RQ3E100GN, RQ3E100GNTB, RQ3E100BNTB1, K4015, ROHM CO. LTD

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