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SIRA10BDP-T1-GE3 Mosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMD

SIRA10BDP-T1-GE3 - Vishay
SIRA10BDP-T1-GE3 Mosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMD
*As imagens podem ser ilustrativas
Mosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMDMosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMDMosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMDMosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMDMosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMDMosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMDMosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMD

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Garantia:
3 meses direto com a Net Computadores

NCM:
85423120

Condição:
Novo em embalagem comercial

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3 meses direto com a Net Computadores

NCM: 85423120

SIRA10BDP-T1-GE3 Mosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMD

Condição de SIRA10BDP-T1-GE3:    Novo em embalagem comercial

Garantia  de  SIRA10BDP-T1-GE3:     3 meses direto com a Net Computadores

Outros PNs para este item:     RA10B, SIRA10BDP, SIRA10B



Part Numbers: SIRA10BDP-T1-GE3, RA10B, SIRA10BDP, SIRA10B
  
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFETs
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 60A
Fonte de drenagem na resistência: 3.6mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 1.2V
Carga na porta: 24.1nC
Temperatura operacional mínima: -55C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 43W
Transcondutância em avanço mín: 68S
Tempo de queda: 10ns
Tempo de ascensão: 20ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 25ns
Tempo de retardo de acionamento típico: 7ns

Maiores detalhes de SIRA10BDP-T1-GE3 no site do fabricante:
https://www.vishay.com/en/product/76396/


Tags de SIRA10BDP-T1-GE3: SIRA10BDP-T1-GE3, RA10B, SIRA10BDP, SIRA10B, SIRA10BDP T1 GE3, SIRA10BDPT1GE3, SIRA10BDP-T1 GE3, SIRA10BDP T1-GE3, SIRA10BDP-T1-GE, SIRA10BDP T1 GE, SIRA10BDPT1GE, SIRA10BDP-T1 GE, SIRA10BDP T1-GE, SIRA10BDP-T1, SIRA10BDP T1, SIRA10BDPT1, SIRA10BDP-T, SIRA10BDP T, SIRA10BDPT, SIRA10BD, SIRA10, S10BDP, SRA10B, Vishay

SIRA10BDP-T1-GE3 Mosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMD

Condição de SIRA10BDP-T1-GE3:
Novo em embalagem comercial

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Outros PNs para este componente:     RA10B, SIRA10BDP, SIRA10B


Part Numbers: SIRA10BDP-T1-GE3, RA10B, SIRA10BDP, SIRA10B
  
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFETs
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: N-Channel
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Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 60A
Fonte de drenagem na resistência: 3.6mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 1.2V
Carga na porta: 24.1nC
Temperatura operacional mínima: -55C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 43W
Transcondutância em avanço mín: 68S
Tempo de queda: 10ns
Tempo de ascensão: 20ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 25ns
Tempo de retardo de acionamento típico: 7ns

Maiores detalhes de SIRA10BDP-T1-GE3 no site do fabricante:
https://www.vishay.com/en/product/76396/


Tags de SIRA10BDP-T1-GE3: SIRA10BDP-T1-GE3, RA10B, SIRA10BDP, SIRA10B, SIRA10BDP T1 GE3, SIRA10BDPT1GE3, SIRA10BDP-T1 GE3, SIRA10BDP T1-GE3, SIRA10BDP-T1-GE, SIRA10BDP T1 GE, SIRA10BDPT1GE, SIRA10BDP-T1 GE, SIRA10BDP T1-GE, SIRA10BDP-T1, SIRA10BDP T1, SIRA10BDPT1, SIRA10BDP-T, SIRA10BDP T, SIRA10BDPT, SIRA10BD, SIRA10, S10BDP, SRA10B, Vishay

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