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Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets / Mosfet N-Channel / SIRA10BDP-T1-GE3
Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets

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SIRA10BDP-T1-GE3 Mosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMD

SIRA10BDP-T1-GE3 - Vishay
SIRA10BDP-T1-GE3 Mosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMD
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Garantia:
3 meses direto com a Net Computadores

NCM:
85423120

Condição:
Novo em embalagem comercial

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SIRA10BDP-T1-GE3 Mosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMD

Condição de SIRA10BDP-T1-GE3:    Novo em embalagem comercial

Garantia  de  SIRA10BDP-T1-GE3:     3 meses direto com a Net Computadores

Outros PNs para este item:     RA10B, SIRA10BDP, SIRA10B



Part Numbers: SIRA10BDP-T1-GE3, RA10B, SIRA10BDP, SIRA10B
  
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFETs
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 60A
Fonte de drenagem na resistência: 3.6mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 1.2V
Carga na porta: 24.1nC
Temperatura operacional mínima: -55C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 43W
Transcondutância em avanço mín: 68S
Tempo de queda: 10ns
Tempo de ascensão: 20ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 25ns
Tempo de retardo de acionamento típico: 7ns

Maiores detalhes de SIRA10BDP-T1-GE3 no site do fabricante:
https://www.vishay.com/en/product/76396/


Tags de SIRA10BDP-T1-GE3: SIRA10BDP-T1-GE3, RA10B, SIRA10BDP, SIRA10B, SIRA10BDP T1 GE3, SIRA10BDPT1GE3, SIRA10BDP-T1 GE3, SIRA10BDP T1-GE3, SIRA10BDP-T1-GE, SIRA10BDP T1 GE, SIRA10BDPT1GE, SIRA10BDP-T1 GE, SIRA10BDP T1-GE, SIRA10BDP-T1, SIRA10BDP T1, SIRA10BDPT1, SIRA10BDP-T, SIRA10BDP T, SIRA10BDPT, SIRA10BD, SIRA10, S10BDP, SRA10B, Vishay

SIRA10BDP-T1-GE3 Mosfet RA10B SIRA10BDP NCH 30V 60A SO8 SMD

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Outros PNs para este componente:     RA10B, SIRA10BDP, SIRA10B


Part Numbers: SIRA10BDP-T1-GE3, RA10B, SIRA10BDP, SIRA10B
  
Fabricante: Vishay
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Caixa / Gabinete: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: N-Channel
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Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 60A
Fonte de drenagem na resistência: 3.6mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 1.2V
Carga na porta: 24.1nC
Temperatura operacional mínima: -55C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 43W
Transcondutância em avanço mín: 68S
Tempo de queda: 10ns
Tempo de ascensão: 20ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 25ns
Tempo de retardo de acionamento típico: 7ns

Maiores detalhes de SIRA10BDP-T1-GE3 no site do fabricante:
https://www.vishay.com/en/product/76396/


Tags de SIRA10BDP-T1-GE3: SIRA10BDP-T1-GE3, RA10B, SIRA10BDP, SIRA10B, SIRA10BDP T1 GE3, SIRA10BDPT1GE3, SIRA10BDP-T1 GE3, SIRA10BDP T1-GE3, SIRA10BDP-T1-GE, SIRA10BDP T1 GE, SIRA10BDPT1GE, SIRA10BDP-T1 GE, SIRA10BDP T1-GE, SIRA10BDP-T1, SIRA10BDP T1, SIRA10BDPT1, SIRA10BDP-T, SIRA10BDP T, SIRA10BDPT, SIRA10BD, SIRA10, S10BDP, SRA10B, Vishay

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