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Componentes Eletrônicos / Acopladores Opticos / SIRA18BDP-T1-GE3
Componentes Eletrônicos / Acopladores Opticos

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SIRA18BDP-T1-GE3 Mosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMD

SIRA18BDP-T1-GE3 - Vishay
SIRA18BDP-T1-GE3 Mosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMD
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Garantia:
3 meses direto com a Net Computadores

NCM:
85423120

Condição:
Novo em embalagem comercial

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NCM: 85423120

SIRA18BDP-T1-GE3 Mosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMD

Condição de SIRA18BDP-T1-GE3:    Novo em embalagem comercial

Garantia  de  SIRA18BDP-T1-GE3:     3 meses direto com a Net Computadores

Outros PNs para este item:     RA18B, SIRA18BDP, SIRA18B



Part Numbers: SIRA18BDP-T1-GE3, RA18B, SIRA18BDP, SIRA18B
  
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFETs
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 40A
Fonte de drenagem na resistência: 6.83mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 2.4V
Carga na porta: 12.2nC
Temperatura operacional mínima: -55C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 17W
Transcondutância em avanço mín: 42S
Tempo de queda: 5ns
Tempo de ascensão: 5ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 15ns
Tempo de retardo de acionamento típico: 8ns
 

Maiores detalhes de SIRA18BDP-T1-GE3 no site do fabricante:
https://www.vishay.com/en/product/77143/


Tags de SIRA18BDP-T1-GE3: SIRA18BDP-T1-GE3, RA18B, SIRA18BDP, SIRA18B, SIRA18BDP T1 GE3, SIRA18BDPT1GE3, SIRA18BDP-T1 GE3, SIRA18BDP T1-GE3, SIRA18BDP-T1-GE, SIRA18BDP T1 GE, SIRA18BDPT1GE, SIRA18BDP-T1 GE, SIRA18BDP T1-GE, SIRA18BDP-T1, SIRA18BDP T1, SIRA18BDPT1, SIRA18BDP-T, SIRA18BDP T, SIRA18BDPT, SIRA18BD, SIRA18, S18BDP, SRA18B, SIRA10BDP-T1-GE3, Vishay

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Part Numbers: SIRA18BDP-T1-GE3, RA18B, SIRA18BDP, SIRA18B
  
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFETs
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 40A
Fonte de drenagem na resistência: 6.83mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 2.4V
Carga na porta: 12.2nC
Temperatura operacional mínima: -55C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 17W
Transcondutância em avanço mín: 42S
Tempo de queda: 5ns
Tempo de ascensão: 5ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 15ns
Tempo de retardo de acionamento típico: 8ns
 

Maiores detalhes de SIRA18BDP-T1-GE3 no site do fabricante:
https://www.vishay.com/en/product/77143/


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