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SIZF918DT-T1-GE3 Mosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMD

SIZF918DT-T1-GE3 - Vishay
SIZF918DT-T1-GE3 Mosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMD
*As imagens podem ser ilustrativas
Mosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMDMosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMDMosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMDMosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMDMosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMDMosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMDMosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMD

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SIZF918DT-T1-GE3 Mosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMD

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Outros PNs para este item:     ZF918, SIZF918DT-T1, SIZF918DT, SIZF918



Part Numbers: SIZF918DT-T1-GE3, ZF918, SIZF918DT-T1, SIZF918DT, SIZF918
  
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFETs
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAIR-6x5-8
Polaridade do transistor: N-Channel, NPN    
Número de canais: 2
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 40A, 60A
Fonte de drenagem na resistência: 6.8mOhms, 2.7mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 1.1V, 1V
Carga na porta: 14.6nC, 37nC
Temperatura operacional mínima: -50C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 26.6W, 50W
Transcondutância em avanço: 53S, 87S
Tempo de ascensão: 45ns, 55ns
Tempo de queda: 10ns, 10ns
Tempo de retardo de acionamento típico: 17ns, 22ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 20ns, 30ns

Maiores detalhes de SIZF918DT-T1-GE3 no site do fabricante:
https://www.vishay.com/en/product/75963/


Tags de SIZF918DT-T1-GE3: SIZF918DT-T1-GE3, ZF918, SIZF918DT-T1, SIZF918DT, SIZF918, SIZF918DT T1 GE3, SIZF918DT-T1 GE3, SIZF918DT T1-GE3, SIZF918DTT1GE3, SIZF918DT-T1, SIZF918DT T1, SIZF918DTT1, SIZF918D, SF918DT, SF918, mosfet n 30v 40a 60a, SIZF906DT, ZF906, 2F906, SIZF918DT-T1-GE3, ZF918, Vishay

SIZF918DT-T1-GE3 Mosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMD

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Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAIR-6x5-8
Polaridade do transistor: N-Channel, NPN    
Número de canais: 2
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 40A, 60A
Fonte de drenagem na resistência: 6.8mOhms, 2.7mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 1.1V, 1V
Carga na porta: 14.6nC, 37nC
Temperatura operacional mínima: -50C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 26.6W, 50W
Transcondutância em avanço: 53S, 87S
Tempo de ascensão: 45ns, 55ns
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Tempo de retardo de acionamento típico: 17ns, 22ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 20ns, 30ns

Maiores detalhes de SIZF918DT-T1-GE3 no site do fabricante:
https://www.vishay.com/en/product/75963/


Tags de SIZF918DT-T1-GE3: SIZF918DT-T1-GE3, ZF918, SIZF918DT-T1, SIZF918DT, SIZF918, SIZF918DT T1 GE3, SIZF918DT-T1 GE3, SIZF918DT T1-GE3, SIZF918DTT1GE3, SIZF918DT-T1, SIZF918DT T1, SIZF918DTT1, SIZF918D, SF918DT, SF918, mosfet n 30v 40a 60a, SIZF906DT, ZF906, 2F906, SIZF918DT-T1-GE3, ZF918, Vishay

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