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Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets / Mosfet Duplo N-P / SSM6N15FU
Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets

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SSM6N15FU 10x Transistor Mosfet Duplo N-CH 30V 100mA

SMT SOT-363 marcação no componente: D.P - kit com 10 unidades

SSM6N15FU - Toshiba
SSM6N15FU 10x Transistor Mosfet Duplo N-CH 30V 100mA
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NCM:
85389010

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SSM6N15FU 10x Transistor Mosfet Duplo N-CH 30V 100mA
SMT SOT-363 marcação no componente: D.P - kit com 10 unidades

Condição de SSM6N15FU:    Novo em embalagem antiestática

Garantia  de  SSM6N15FU:     3 meses direto com a Net Computadores



Kit com 10 unidades
 Transistor Mosfet Duplo N-CH 30V 100mA SMT
 Encapsulamento: SOT-363
 Marcação no componente: D.P 
  
 Aplicações de comutação de alta velocidade
 Aplicações de comutação analógica
  
 Pacote pequeno
 Baixa resistência ON:
Ron 4,0 (máx.) (@VGS 4 V)
 Ron 7.0 (máx.) (@VGS 2.5 V)
  
 Designação do tipo: SSM6N15FU
 Código de marcação: DP
 Tipo de transistor: MOSFET
 Tipo de canal de controle: Canal N
 Dissipação de potência máxima (Pd): 0,2 W
 Tensão máxima dreno-fonte Vds: 30 V
 Tensão máxima entre porta e fonte (Vgs): 20 V
 Tensão máxima de limiar de porta Vgs(th): 1,5 V
 Corrente máxima de drenagem Id: 0,1 A
 Temperatura máxima de junção (Tj): 150 C
 Capacitância dreno-fonte (Cd): 8,8 pF
 Resistência máxima de condução entre dreno e fonte (Rds): 4 Ohm.

Maiores detalhes de SSM6N15FU no site do fabricante:
https://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/S/S/M/6/SSM6N15FU.shtml


Tags de SSM6N15FU: SSM6N15FU(TE85LF), SSM6N15FU, Toshiba

SSM6N15FU 10x Transistor Mosfet Duplo N-CH 30V 100mA SMT SOT-363 marcação no componente: D.P - kit com 10 unidades

Condição de SSM6N15FU:
Novo em embalagem antiestática

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Kit com 10 unidades
 Transistor Mosfet Duplo N-CH 30V 100mA SMT
 Encapsulamento: SOT-363
 Marcação no componente: D.P 
  
 Aplicações de comutação de alta velocidade
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 Pacote pequeno
 Baixa resistência ON:
Ron 4,0 (máx.) (@VGS 4 V)
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 Designação do tipo: SSM6N15FU
 Código de marcação: DP
 Tipo de transistor: MOSFET
 Tipo de canal de controle: Canal N
 Dissipação de potência máxima (Pd): 0,2 W
 Tensão máxima dreno-fonte Vds: 30 V
 Tensão máxima entre porta e fonte (Vgs): 20 V
 Tensão máxima de limiar de porta Vgs(th): 1,5 V
 Corrente máxima de drenagem Id: 0,1 A
 Temperatura máxima de junção (Tj): 150 C
 Capacitância dreno-fonte (Cd): 8,8 pF
 Resistência máxima de condução entre dreno e fonte (Rds): 4 Ohm.

Maiores detalhes de SSM6N15FU no site do fabricante:
https://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/S/S/M/6/SSM6N15FU.shtml


Tags de SSM6N15FU: SSM6N15FU(TE85LF), SSM6N15FU, Toshiba

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