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STGF14NC60KD Transistor IGBT PowerMESH 600V 11A 28W TO220 3Pins

STGF14NC60KD - STMicroeletronics
STGF14NC60KD Transistor IGBT PowerMESH 600V 11A 28W TO220 3Pins
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Garantia:
3 meses direto com a Net Computadores

NCM:
85423190

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Novo em embalagem comercial

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STGF14NC60KD Transistor IGBT PowerMESH 600V 11A 28W TO220 3Pins

Condição de STGF14NC60KD:    Novo em embalagem comercial

Garantia  de  STGF14NC60KD:     3 meses direto com a Net Computadores

Outros PNs para este item:     GF14NC60KD



Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores IGBT
   
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-220-3 FP
Estilo de montagem: Through Hole
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2 V
Tensão do emissor do gate máxima: - 20 V, 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 11 A
Pd - Dissipação de potência: 28 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: 150 C
Série: STGF14NC60KD

Tags de STGF14NC60KD: STGF14NC60KD, GF14NC60KD, GF14NC60, 14N60, STGB14NC60KDT4, STGF14NC60KD, STGP14NC60KD, short-circuit rugged IGBT, =STGF14NC60KD, STMicroeletronics

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Novo em embalagem comercial

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Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores IGBT
   
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-220-3 FP
Estilo de montagem: Through Hole
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2 V
Tensão do emissor do gate máxima: - 20 V, 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 11 A
Pd - Dissipação de potência: 28 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: 150 C
Série: STGF14NC60KD

Tags de STGF14NC60KD: STGF14NC60KD, GF14NC60KD, GF14NC60, 14N60, STGB14NC60KDT4, STGF14NC60KD, STGP14NC60KD, short-circuit rugged IGBT, =STGF14NC60KD, STMicroeletronics

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