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W9425G6JH-5 Winbond DRAM chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V

66-pin TSOP-II

W9425G6JH-5 - Winbond Electronics Corp.
W9425G6JH-5 Winbond DRAM chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V
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R$ 25,00

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Garantia:
3 meses direto com a Net Computadores

NCM:
85423190

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Novo em embalagem comercial

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W9425G6JH-5 Winbond DRAM chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V
66-pin TSOP-II

Condição de W9425G6JH-5:    Novo em embalagem comercial

Garantia  de  W9425G6JH-5:     3 meses direto com a Net Computadores



W9425G6JH é uma memória de acesso aleatório dinâmico síncrono CMOS Double Data Rate (DDR SDRAM), organizada em 4.194.304 palavras x 4 bancos x 16 bits. 

W9425G6JH oferece uma largura de banda de dados de até 500 milhões de palavras por segundo (-4). Para cumprir totalmente o padrão industrial de computador pessoal, W9425G6JH é classificado nas seguintes classes de velocidade: -4, -5, -5I e -5A. As peças de grau -4 são compatíveis com a especificação DDR500 / CL3 e CL4. As peças de grau -5 / -5I / -5A, são compatíveis com a especificação DDR400 / CL3 (grau industrial -5I, grau automotivo -5A que é garantido para suportar -40°C ~ 85°C).
 
Todas as referências de entrada para a borda positiva de CLK (exceto para DQ, DM e CKE). O ponto de referência de tempo para o relógio diferencial é quando os sinais CLK e NÃO CLK se cruzam durante uma transição. Os dados de gravação e leitura são sincronizados com as duas bordas do DQS (Data Strobe).
 
Por ter um Registrador de Modo programável, o sistema pode alterar o comprimento de burst, ciclo de latência, intercalação ou burst sequencial para maximizar seu desempenho. W9425G6JH é ideal para a memória principal em aplicativos de alto desempenho.
 
Features
  • 2.5V ± 0.2V Power Supply for DDR400
  • 2.4V~2.7V Power Supply for DDR500
  • Up to 250MHz Clock Frequency
  • Double Data Rate architecture; two data transfers per clock cycle
  • Differential clock inputs (CLK and NOT CLK )
  • DQS is edge-aligned with data for Read; center-aligned with data for Write
  • CAS Latency: 2, 2.5, 3 and 4
  • Burst Length: 2, 4 and 8
  • Auto Refresh and Self Refresh
  • Precharged Power Down and Active Power Down
  • Write Data Mask
  • Write Latency = 1
  • 7.8-S refresh interval (8K/64 mS refresh)
  • Maximum burst refresh cycle: 8
  • Interface: SSTL_2
  • Packaged in TSOP II 66-pin, using Lead free materials with RoHS compliant

Tags de W9425G6JH-5: W9425G6JH-5, W9425G6JH5, CMOS DDR SDRAM, 401960-W9425G6JH-5, Winbond Electronics Corp.

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W9425G6JH é uma memória de acesso aleatório dinâmico síncrono CMOS Double Data Rate (DDR SDRAM), organizada em 4.194.304 palavras x 4 bancos x 16 bits. 

W9425G6JH oferece uma largura de banda de dados de até 500 milhões de palavras por segundo (-4). Para cumprir totalmente o padrão industrial de computador pessoal, W9425G6JH é classificado nas seguintes classes de velocidade: -4, -5, -5I e -5A. As peças de grau -4 são compatíveis com a especificação DDR500 / CL3 e CL4. As peças de grau -5 / -5I / -5A, são compatíveis com a especificação DDR400 / CL3 (grau industrial -5I, grau automotivo -5A que é garantido para suportar -40°C ~ 85°C).
 
Todas as referências de entrada para a borda positiva de CLK (exceto para DQ, DM e CKE). O ponto de referência de tempo para o relógio diferencial é quando os sinais CLK e NÃO CLK se cruzam durante uma transição. Os dados de gravação e leitura são sincronizados com as duas bordas do DQS (Data Strobe).
 
Por ter um Registrador de Modo programável, o sistema pode alterar o comprimento de burst, ciclo de latência, intercalação ou burst sequencial para maximizar seu desempenho. W9425G6JH é ideal para a memória principal em aplicativos de alto desempenho.
 
Features
  • 2.5V ± 0.2V Power Supply for DDR400
  • 2.4V~2.7V Power Supply for DDR500
  • Up to 250MHz Clock Frequency
  • Double Data Rate architecture; two data transfers per clock cycle
  • Differential clock inputs (CLK and NOT CLK )
  • DQS is edge-aligned with data for Read; center-aligned with data for Write
  • CAS Latency: 2, 2.5, 3 and 4
  • Burst Length: 2, 4 and 8
  • Auto Refresh and Self Refresh
  • Precharged Power Down and Active Power Down
  • Write Data Mask
  • Write Latency = 1
  • 7.8-S refresh interval (8K/64 mS refresh)
  • Maximum burst refresh cycle: 8
  • Interface: SSTL_2
  • Packaged in TSOP II 66-pin, using Lead free materials with RoHS compliant

Tags de W9425G6JH-5: W9425G6JH-5, W9425G6JH5, CMOS DDR SDRAM, 401960-W9425G6JH-5, Winbond Electronics Corp.

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