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Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets / Mosfet N-Channel / 07G005000B12
Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets

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07G005000B12 10x Transistor 2N7002K K72 Mosfet N 300ma 60V SMD SOT23

07G005000B12 - Panjit Semi Conductor
07G005000B12 10x Transistor 2N7002K K72 Mosfet N 300ma 60V SMD SOT23
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NCM:
85412120

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07G005000B12 10x Transistor 2N7002K K72 Mosfet N 300ma 60V SMD SOT23

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Outros PNs para este item:     2N7002K K72



10x unidades
 Transistor 2N7002K Mosfet N-Channel 300ma 60V
 Encapsulamento: SMD SOT23
Marcação no componente: K72
  
 O 2N7002K é um transistor MOSFET de Canal N para sinais fracos (baixa potência), encapsulado no padrão SMD SOT-23. Ele é amplamente utilizado em circuitos digitais e embarcados devido à sua alta velocidade de chaveamento e proteção integrada contra descargas eletrostáticas (ESD).
  
 
 Especificações Técnicas Principais
  • Tensão Dreno-Fonte: 60 V
  • Corrente de Dreno: 300 mA a 380 mA
  • Proteção ESD: Integrada (geralmente até 2kV)
  • Encapsulamento: SOT-23
- RDS(ON), VGS@10 V, ID@500 mA<3
- RDS(ON), VGS@4.5 V, ID@200 mA<4
- Advanced trench process technology
- High density cell design for ultra low on-resistance
- Very low leakage current in off condition
- Designed for battery operated systems, solid-state relays drivers, etc
- ESD protected 2 KV HBM
- Lead free in compliance with EU RoHS 2.0
- Green molding compound as per IEC 61249 standard
  
  
Aplicações Comuns
  • Chaves de acionamento do tipo Low-Side
  • Circuitos de deslocamento de nível (Level Shifting)
  • Conversores DC-DC
  • Interfaces entre lógica digital e periféricos (relés, LEDs)


Maiores detalhes de 07G005000B12 no site do fabricante:
https://www.panjit.com.tw/en/Product/MOSFET/Small_Signal_MOSFET/2N7002K


Tags de 07G005000B12: 07G005000B12, transistor K72, Small Signal MOSFETs, Panjit Semi Conductor

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 O 2N7002K é um transistor MOSFET de Canal N para sinais fracos (baixa potência), encapsulado no padrão SMD SOT-23. Ele é amplamente utilizado em circuitos digitais e embarcados devido à sua alta velocidade de chaveamento e proteção integrada contra descargas eletrostáticas (ESD).
  
 
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  • Circuitos de deslocamento de nível (Level Shifting)
  • Conversores DC-DC
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