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4N60FI Mosfet P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220

4N60FI - STMicroeletronics

4N60FI Mosfet P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220

*As imagens podem ser ilustrativas

Mosfet P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220

Mosfet P4NA60FI NCH 600V 2.7A TO220

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Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Estilo de montagem: PTH
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 650V
Corrente de drenagem contínua: 2.7A
Fonte de drenagem na resistência: 2.2ohms
Voltagem de porta e fonte: -30V até 30V
Tensão de limite porta e fonte: 3V
Carga na porta: 9.8nC
Temperatura operacional mínima: -55C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 20W
Tempo de queda: 20ns
Tempo de ascensão: 7ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 6.5ns
Tempo típico de ativação/retardo: 19ns

Maiores detalhes de 4N60FI no site do fabricante:
https://datasheetspdf.com/datasheet/P4NA60FI.html

Tags de 4N60FI: P4N60FI, P4N60F, N60F, mosfet N60, STP4NA60FI, mosfet de potencia canal N, transistor 4n60, STMicroeletronics

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Polaridade do transistor: N-Channel
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Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 650V
Corrente de drenagem contínua: 2.7A
Fonte de drenagem na resistência: 2.2ohms
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Maiores detalhes de 4N60FI no site do fabricante:
https://datasheetspdf.com/datasheet/P4NA60FI.html

Tags de 4N60FI: P4N60FI, P4N60F, N60F, mosfet N60, STP4NA60FI, mosfet de potencia canal N, transistor 4n60, STMicroeletronics

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