EM636165TS-7G Synchronous DRAM 1Mx16 5.4ns CMOS PDSO50

Name: EM636165TS-7G Synchronous DRAM 1Mx16 5.4ns CMOS PDSO50
Brand: Etron Techonology
SKU: EM636165TS-7G
Price: 15.00 BRL
Availability: InStock

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EM636165TS-7G Synchronous DRAM 1Mx16 5.4ns CMOS PDSO50

Condição de EM636165TS-7G: Novo em embalagem comercial

Garantia de EM636165TS-7G: 3 meses direto com a Net Computadores

Visão geral:
O EM636165 SDRAM é uma DRAM CMOS síncrona de alta velocidade com 16 Mbits. Internamente, é configurado como uma DRAM dupla de 512K palavras x 16 bits com interface síncrona (todos os sinais são registrados na borda de subida do sinal de clock, CLK). Cada um dos bancos de 512K x 16 bits é organizado em 2048 linhas por 256 colunas por 16 bits. Os acessos de leitura e escrita à SDRAM são orientados a rajadas; os acessos começam em um local selecionado e continuam por um número programado de locais em uma sequência programada. Os acessos começam com o registro de um comando BankActivate, seguido por um comando de leitura ou escrita.
O EM636165 permite comprimentos de rajada de leitura ou escrita programáveis de 1, 2, 4, 8 ou página inteira, com uma opção de término de rajada. Uma pré-carga automática pode ser habilitada para fornecer uma pré-carga de linha autotemporizada que é iniciada ao final da sequência de rajada. Os modos de atualização, tanto automática quanto automática, são fáceis de usar. Graças a um registrador de modo programável, o sistema pode escolher os modos mais adequados para maximizar seu desempenho. Esses dispositivos são ideais para aplicações que exigem alta largura de banda de memória e, em particular, para aplicações de PC de alto desempenho.

Tempo de acesso rápido: 4,5/5/5/5,5/6,5/7,5 ns
Frequência de clock rápida: 200/183/166/143/125/100 MHz
Modo de autoatualização: padrão e de baixo consumo
Arquitetura pipeline interna Registros de Modo Programável
de 512K palavras x 16 bits x 2 bancos - CAS# Latência: 1, 2 ou 3 - Comprimento do Burst: 1, 2, 4, 8 ou página inteira - Tipo de Burst: burst intercalado ou linear - Parada de Burst Byte individual controlado por LDQM e UDQM Autoatualização e Autoatualização 4096 ciclos de atualização/64ms Modo de baixo consumo CKE Alimentação padrão JEDEC 3,3V 0,3V Interface: LVTTL Pacote TSOP II de plástico de 50 pinos e 400 mil Pacote VFBGA de 60 pinos, 6,4x10,1mm Pacote sem chumbo disponível para TSOP II e VFBGA

Maiores detalhes de EM636165TS-7G no site do fabricante:

Tags de EM636165TS-7G: EM636165TS-7G, EM636165TS, ETRONTE, Etron Techonology

EM636165TS-7G Synchronous DRAM 1Mx16 5.4ns CMOS PDSO50

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