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EMZB08P03V Mosfet P-Channel 30V 25A RDSon 8.5ohm (kit 10)

kit com 10 unidades

EMZB08P03V - M Excelliance MOS Corporation
EMZB08P03V Mosfet P-Channel 30V 25A RDSon 8.5ohm (kit 10)
*As imagens podem ser ilustrativas
Mosfet P-Channel 30V 25A RDSon 8.5ohm (kit 10)Mosfet P-Channel 30V 25A RDSon 8.5ohm (kit 10)

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EMZB08P03V Mosfet P-Channel 30V 25A RDSon 8.5ohm (kit 10)
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P-Channel Logic Level Enhance ment Mode Field Effect Transistor
Product Summary:  BVDSS  -30V RDSON (MAX.)  8ohms.
5m-  ID  -2 5A    UIS, Rg 100% Tested
Pb Free 
Lead Plating e Halogen Free
ESD Protection
ABSOLUTE MAXIMU M RATINGS (TA  25 C Unless Ot herwise Noted)
PARAMETERS/TEST
CONDITIONS  SYMBOL  EMZB08P03V
LIMITS
UNIT  Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current  Pulsed Dra in Current1 
TC  25 C  TC 100 C
 Avalanche Current  Aval anche Energy  L  0.
1mH, ID-25 A, RG25-
Power Dissipation  TC   25 C  TC  100 C
Operating Junction 

Maiores detalhes de EMZB08P03V no site do fabricante:
http://www.datasheet-pdf.com/PDF/EMZB08P03V-Datasheet-ExcellianceMOS-1112069


Tags de EMZB08P03V: EMZB08P03V, emzb08p03v, emzb08p03, zb08p03, ZB08, AO4433, FDS9435A, AO6403, EMZB08P03H, EMZB08P03G, mosfet canal P, 30V P-Channel MOSFET, mosfet canal P, mosfet 8 terminais canal P, mosfet 8pin P-CH, transistor 8 pinos, transistor 8pin, =EMZB08P03V, M Excelliance MOS Corporation

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LIMITS
UNIT  Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current  Pulsed Dra in Current1 
TC  25 C  TC 100 C
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