J50S06M3

Transistor Mosfet P-CH 50A 60V 90W TO-252-3

Transistor Mosfet P-CH 50A 60V 90W TO-252-3

*Imagens ilustrativas

J50S06M3

Transistor Mosfet P-CH 50A 60V 90W TO-252-3

Condição:

novo em embalagem comercial

Garantia:

3 meses direto com a Net Computadores

NCM:

85423190

em estoque, envio imediato

Site
Loja Física

R$ 7,50

À vista já com 5% de desconto (boleto/pix). Preço base SP. Informaremos caso incidam impostos interestaduais.

ou no cartão de crédito por R$ 7,89

Condição exclusiva para o site. Parcelas serão exibidas na tela de pagamento.

R$ 7,50

À vista já com 10% de desconto (boleto/pix). Preço base SP. Informaremos caso incidam impostos interestaduais.

ou R$ 8,33 no cartão de crédito em até 10x sem juros

Condição exclusiva para compras presenciais na loja física.

Adicionar ao carrinho

Comprar agora

R$ 7,50

à vista no pix

Comprar

Condição: novo em embalagem comercial

Garantia: 3 meses direto com a Net Computadores

NCM: 85423190

cotar mais de 1 peça de J50S06M3
indicar a um amigo J50S06M3

Net Computadores

desde 1998, atua como revenda de equipamentos para informática com foco em hardware para TI empresarial.

saiba mais

J50S06M3 Transistor Mosfet P-CH 50A 60V 90W TO-252-3

Condição de J50S06M3: novo em embalagem comercial

MOSFETs U-MOSIV da Toshiba
Os MOSFETs Toshiba U-MOSIV são oferecidos em variantes de acionamento de porta de nível lógico, acionamento de porta de baixa tensão e acionamento de porta de 10 V em polaridade de canal N e canal P. Os MOSFETs U-MOSIV oferecem baixa resistência ON da fonte de drenagem e baixa corrente de fuga. Esses dispositivos são oferecidos em pacotes de montagem em superfície e através de orifício e são ideais para aplicações de driver de motor, conversor CC-CC e regulador de tensão de comutação.

CARACTERÍSTICAS

Acionamento de porta de nível lógico, acionamento de porta de baixa tensão e acionamento de porta de 10V
0,0031 a 2,1 (@V GS 10V) resistência máxima da fonte de drenagem (R DS(ON) )
Tensão de fonte de drenagem de -20 V a 100 V (V DSS )
Tensão porta-fonte de 10V a 8V (V GSS )
-4,0A a 100,0A de corrente de drenagem ( ID )
Dissipação de potência de 1,5 W a 180,0 W (P D )
Capacitância de entrada de 17pF a 8200pF (C ISS )

Applications
Automotive
Motor Drivers
DC-DC Converters
Switching Voltage Regulators

Features
- Low drain-source on-resistance: RDS(ON) 10.3 m (typ.) (VGS -10 V)
- Low leakage current: IDSS -10 A (max) (VDS -60 V)
- Enhancement mode: Vth -2.0 to -3.0 V (VDS -10 V, ID -1 mA)

Manufacturer:   Toshiba
Product Category:   MOSFET
Technology:   Si
Mounting Style:   SMD/SMT
Package / Case:   DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor Polarity:   P-Channel
Number of Channels:   1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:   60 V
Id - Continuous Drain Current:   50 A
Rds On - Drain-Source Resistance:   13.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:   - 20 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:   3 V
Qg - Gate Charge:   124 nC
Minimum Operating Temperature:   - 55 C
Maximum Operating Temperature:   175 C
Pd - Power Dissipation:   90 W
Channel Mode:   Enhancement
Qualification:   AEC-Q101
Tradename:   U-MOSVI
Series:   TJ50S06M3L
Packaging:   Reel
Packaging:   Cut Tape
Packaging:   MouseReel
Brand:   Toshiba
Configuration:   Single
Height:   2.3 mm
Length:   6.5 mm
Product Type:   MOSFET

J50S06M3 Transistor Mosfet P-CH 50A 60V 90W TO-252-3

Maiores detalhes de J50S06M3 no site do fabricante:
https://br.mouser.com/new/toshiba-semiconductors/toshiba-u-mosiv-mosfets/

Condição de J50S06M3: novo em embalagem comercial

Tags de J50S06M3: Tj50s06m3l, 50S06M3, TJ50S06M3L,LXHQ, U-MOSVI, mosfet 50A mosfet canal P 50A, Toshiba

Semelhantes
J50S06M3 Transistor Mosfet P-CH 50A 60V 90W TO-252-3