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Componentes Eletrônicos / Semicondutores / K4S561632N-LC75

K4S561632N-LC75

Samsung CI de memoria SDRAM 256Mb 133Mhz

4x4Mx16 CMOS TSOP 54PIN PLASTIC

K4S561632N-LC75 - Samsung
K4S561632N-LC75 Samsung CI de memoria SDRAM 256Mb 133Mhz
Samsung CI de memoria SDRAM 256Mb 133Mhz
*Imagens ilustrativas

K4S561632N-LC75

Samsung CI de memoria SDRAM 256Mb 133Mhz

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K4S561632N-LC75 Samsung CI de memoria SDRAM 256Mb 133Mhz

Condição de K4S561632N-LC75: novo em embalagem comercial

Address Bus Width 15b
Case/Package TSOP
Density 256Mb
Lead Free Lead Free
Max Frequency 133MHz
Max Operating Temperature 70C
Min Operating Temperature 0C
Max Supply Voltage 3.6V
Min Supply Voltage 3V
Mount Surface Mount
Nominal Supply Current 50mA
Number of Pins 54
Operating Supply Voltage 3.3V
RoHS Compliant Yes

K4S561632N-LC75 Samsung CI de memoria SDRAM 256Mb 133Mhz


Condição de K4S561632N-LC75: novo em embalagem comercial

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