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Memórias / DDR3 240 Pinos (PC) / 4GB / KVR16LN11/4
Memórias / DDR3 240 Pinos (PC)

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KVR16LN11/4 Memória Kingston 4G DDR3 1600MHz CL11

240 Pinos PC3-12800

KVR16LN11/4 -
KVR16LN11/4 Memória Kingston 4G DDR3 1600MHz CL11
*As imagens podem ser ilustrativas
Memória Kingston 4G DDR3 1600MHz CL11Memória Kingston 4G DDR3 1600MHz CL11Memória Kingston 4G DDR3 1600MHz CL11Memória Kingston 4G DDR3 1600MHz CL11

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Garantia:
12 meses Assist. Técnica do Fabricante

NCM:
84733042

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Condição:
Novo em embalagem comercial

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KVR16LN11/4 Memória Kingston 4G DDR3 1600MHz CL11
240 Pinos PC3-12800

Condição de KVR16LN11/4:    Novo em embalagem comercial

Garantia  de  KVR16LN11/4:     12 meses Assist. Técnica do Fabricante



Especificações:
CL(IDD): 11 ciclos
Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (mín.)
Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)
Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.)
Consumo de energia: 2.160 W*
UL Rating: 94 V - 0
Temperatura de Operação: 0oC a 85oC
Temperatura de Armazenamento: -55oC a 100oC
*O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso.

Características:
Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V)
800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin
8 bancos internos independentes
Latência CAS Programável: 11,10, 9, 8, 7, 6
Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock
8-bit pre-fetch
Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS]
Data Strobe Diferencial bi-direcional
Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
Terminação no Die usando o pino ODT
Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C
Reset assíncrono
PCB: Altura 0.740 (18,75mm) ou 1.180 (30,00mm), componente apenas de um lado

Maiores detalhes de KVR16LN11/4 no site do fabricante:
http://www.kingston.com/us/memory/search/?partid=KVR16LN11/4


Vídeo de KVR16LN11/4 Memória Kingston 4G DDR3 1600MHz CL11



Tags de KVR16LN11/4: KVR16LN11/4, KVR16LN114, KVR16LN11, PC3-12800, PC312800, DDR3 4G, Memória, Memoria DDR3, Memoria 4GB, 4G DDR3, Memoria 1600Mhz,

KVR16LN11/4 Memória Kingston 4G DDR3 1600MHz CL11 240 Pinos PC3-12800

Condição de KVR16LN11/4:
Novo em embalagem comercial

Garantia  de  KVR16LN11/4:
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Especificações:
CL(IDD): 11 ciclos
Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (mín.)
Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)
Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.)
Consumo de energia: 2.160 W*
UL Rating: 94 V - 0
Temperatura de Operação: 0oC a 85oC
Temperatura de Armazenamento: -55oC a 100oC
*O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso.

Características:
Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V)
800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin
8 bancos internos independentes
Latência CAS Programável: 11,10, 9, 8, 7, 6
Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock
8-bit pre-fetch
Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS]
Data Strobe Diferencial bi-direcional
Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
Terminação no Die usando o pino ODT
Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C
Reset assíncrono
PCB: Altura 0.740 (18,75mm) ou 1.180 (30,00mm), componente apenas de um lado

Maiores detalhes de KVR16LN11/4 no site do fabricante:
http://www.kingston.com/us/memory/search/?partid=KVR16LN11/4


Vídeo de KVR16LN11/4 Memória Kingston 4G DDR3 1600MHz CL11



Tags de KVR16LN11/4: KVR16LN11/4, KVR16LN114, KVR16LN11, PC3-12800, PC312800, DDR3 4G, Memória, Memoria DDR3, Memoria 4GB, 4G DDR3, Memoria 1600Mhz,

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