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Memórias / DDR3 ECC 240 Pinos (Servidor) / 4GB / KVR16LR11S8/4

KVR16LR11S8/4

Memoria Kingston 4GB 1600MHz DDR3L ECC

Registrada CL11 240 Pinos RDIMM Single Rank X8

KVR16LR11S8/4 - Kingston
KVR16LR11S8/4 Memoria Kingston 4GB 1600MHz DDR3L ECC
Memoria Kingston 4GB 1600MHz DDR3L ECC
*Imagens ilustrativas

KVR16LR11S8/4

Memoria Kingston 4GB 1600MHz DDR3L ECC

Registrada CL11 240 Pinos RDIMM Single Rank X8

Garantia:
Lifetime Assist. Técnica do Fabricante

NCM:
84733042

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Condição: novo em embalagem comercial

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KVR16LR11S8/4 Memoria Kingston 4GB 1600MHz DDR3L ECC

Condição de KVR16LR11S8/4: novo em embalagem comercial

 - As memórias da Kingston® para servidores são extremamente confiáveis, pois foram projetadas e 100% testadas para assegurarem compatibilidade com os principais fabricantes de placas para servidores, incluindo Intel, Supermicro, Tyan entre outras marcas. São totalmente compatíveis com as especificações JEDEC e amparadas pelo suporte técnico local e gratuíto da Kingston Brasil. Ideal para aqueles que procuram a melhor qualidade em memórias server padrão.
 
Especificações:
 
- CL(IDD): 11 ciclos
- Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (mín.)
- Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.)
- Consumo de energia (1.35V) = 2.449W* | (1.5V) = 2.814W*
- UL Rating: 94 V - 0
- Temperatura de Operação: 0oC a 85oC
- Temperatura de Armazenamento: -55oC a 100oC
- *O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM e Registro/PLL em uso.
 
Caracteristicas:
 
- Tensão padrão JEDEC 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e1.5V (1.425V ~ 1.575V)
- VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V)
- 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin
- 8 bancos internos independentes
- Latência CAS Programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6
- Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock
- 8-bit pre-fetch
- Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS]
- Data Strobe Diferencial bi-direcional
- Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
- Terminação no Die usando o pino ODT
- Sensor térmico no DIMM (Classe B)
- Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C
- Reset assíncrono
- PCB: Altura 1.18 (30mm), componente de ambos os lados

KVR16LR11S8/4 Memoria Kingston 4GB 1600MHz DDR3L ECC


Maiores detalhes de KVR16LR11S8/4 no site do fabricante:
http://www.kingston.com/us/memory/search/?partid=KVR16LR11S8/4



Condição de KVR16LR11S8/4: novo em embalagem comercial

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