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KVR26S19S6/4 Kingston memoria 4GB DDR4 2666MHz CL19 1.2V
Condição de KVR26S19S6/4: novo em embalagem comercial
Tecnologia |
Taxa |
Classificação módulos |
Largura máx. banda |
DDR4 (1.2V) DDR4L (1.1V) |
2133 |
DDR4-2133 |
17000MB/s or 17 GB/s |
2400 |
DDR4-2400 |
19200 MB/s or 19.2 GB/s |
|
2667 |
DDR4-2667 |
21300 MB/s or 21.3 GB/s |
|
3200 |
DDR4-3200 |
25600 MB/s or 25.6 GB/s |
Descrição |
DDR4 |
Vantagens |
Chip Densities |
4Gb - 16Gb |
Larger DIMM Capacities |
Data Rates |
1600Mb/s - 3200Mb/s |
Migration to Higher-Speed I/O |
Voltage |
1.2V |
Reduced Memory Power Demand |
Low Voltage Standard |
Anticipated at 1.1V |
Memory Power Reductions |
Internal Banks |
16 |
More Banks |
Bank Groups (BG) |
4 |
Faster Burst Accesses |
VREF inputs |
1 - CMD/ADDR |
VREFDQ Now Internal |
tCK - DLL Enabled |
667MHz - 1.6GHz |
Higher Data Rates |
tCK - DLL Disabled |
Undefined to 125MHz |
DLL-off now fully supported |
Read Latency |
AL CL |
Expanded Values |
Write Latency |
AL CWL |
Expanded Values |
DQ Driver (ALT) |
48 - |
Optimal for PtP pplications |
DQ Bus |
POD12 |
Less I/O Noise and Power |
RTT Values (in -) |
240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 |
Support for Higher Data Rates |
RTT Not Allowed |
Disables during Read Bursts |
Ease-of-Use |
ODT Modes |
Nominal, Dynamic, Park |
Add-l Control Mode; OTF Value Change |
ODT Control |
ODT Signaling NOT Required |
Ease of ODT Control; Allows Non-ODT Routing, PtP Apps |
Multi-Purpose Register |
Four Registers - 3 Defined, 1 RFU |
Provides Additional Specialty Readout |
DIMM Types |
RDIMM, LRDIMM, UDIMM/ SODIMM |
|
DIMM Pins |
288 (R, LR, U); 260 (SODIMM) |
|
RAS |
CRC, Parity, Addressability, GDM |
More RAS Features, Improved Data Integrity |
KVR26S19S6/4 Kingston memoria 4GB DDR4 2666MHz CL19 1.2V
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