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Memórias / DDR4 SODIMM 260 Pinos (Notebook)

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KVR26S19S8/16 Kingston memoria 16GB SODIMM DDR4 2666Mhz

1.2V 1Rx8 para notebook

KVR26S19S8/16 - Kingston
KVR26S19S8/16 Kingston memoria 16GB SODIMM DDR4 2666Mhz
KVR26S19S8/16 Kingston memoria 16GB SODIMM DDR4 2666Mhz
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KVR26S19S8/16 Kingston memoria 16GB SODIMM DDR4 2666Mhz
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Garantia:
12 meses direto com a Net Computadores

NCM:
85423221

Condição:
Novo em embalagem antiestática

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KVR26S19S8/16 Kingston memoria 16GB SODIMM DDR4 2666Mhz
1.2V 1Rx8 para notebook

Condição de KVR26S19S8/16:    Novo em embalagem antiestática

Garantia  de  KVR26S19S8/16:     12 meses direto com a Net Computadores



16GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 SODIMM 1Rx8
 16GB Module - DDR4 2666MHz
 Código do Produto: KVR26S19S8/16
 Especificações: DDR4, 2666MHz, Non-ECC, CL19, X8, 1.2V, Unbuffered, SODIMM, 260-pin, 1R, 16Gbit
  
 Descrição:
 O KVR26S19S8/16 da Kingston é um módulo de memória SODIMM DDR4-2666 2G x 64 bits (16GB) CL19 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8, com base em oito componentes FBGA 2G x 8bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR4-2666 tempo de 19-19-19 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.
Recursos:
 - Fonte de alimentação: VDD 1,2 V típica
- VDDQ 1,2 V típico
- VPP 2,5 V típico
- VDDSPD 2,2 V a 3,6 V
- Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para
dados, strobe e sinais de máscara
- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração de VREFDQ na matriz
- Single-rank
- EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)
- 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
- Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8
através do conjunto de registro de modo (MRS)
- Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
- Topologia fly-by
- Comando de controle terminado e barramento de endereço
- PCB: Altura 1,23 -(30,00 mm)
- Compatível com RoHS e livre de halogênio
Especificações:
 CL (IDD): 19 ciclos
Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
Classificação UL: 94 V-0
Temperatura de operação: 0ºC a 85ºC
Temperatura de armazenamento: -55ºC a 100ºC.

Vídeo de KVR26S19S8/16 Kingston memoria 16GB SODIMM DDR4 2666Mhz



Tags de KVR26S19S8/16: KVR26S19S8/16, KVR26S19S8/16GB, KVR26S19S8/16G, KVR26S19S8-16, Memória de 16GB SODIMM DDR4 2666Mhz 1,2V 1Rx8 para notebook, memoria notebook 16gb ddr4, memoria para note 16gb ddr4, memoria sodimm 16gb ddr4, 002000724, memoria ddr4 16gb 2666mhz, memoria ram para notebook dell, memoria ram ddr4 para notebook dell, memoria ddr4 16gb para notebook asus, memoria ddr4 16gb para notebook sony, memoria ddr4 para notebook acer, memoria ddr4 16gb para notebook hp, Kingston

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16GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 SODIMM 1Rx8
 16GB Module - DDR4 2666MHz
 Código do Produto: KVR26S19S8/16
 Especificações: DDR4, 2666MHz, Non-ECC, CL19, X8, 1.2V, Unbuffered, SODIMM, 260-pin, 1R, 16Gbit
  
 Descrição:
 O KVR26S19S8/16 da Kingston é um módulo de memória SODIMM DDR4-2666 2G x 64 bits (16GB) CL19 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8, com base em oito componentes FBGA 2G x 8bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR4-2666 tempo de 19-19-19 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.
Recursos:
 - Fonte de alimentação: VDD 1,2 V típica
- VDDQ 1,2 V típico
- VPP 2,5 V típico
- VDDSPD 2,2 V a 3,6 V
- Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para
dados, strobe e sinais de máscara
- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
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- EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)
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Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
Classificação UL: 94 V-0
Temperatura de operação: 0ºC a 85ºC
Temperatura de armazenamento: -55ºC a 100ºC.

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