Componentes Eletrônicos / Trasistores e Mosfets / Mosfet Duplo N-P / NDS9952A

Componentes Eletrônicos / Trasistores e Mosfets

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NDS9952A

Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8

Dual Dual Drain N+P Channel (N-Channel P-Channel) 0.06ohm 10V 1.7V SOIC-8

NDS9952A Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8

Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8

*Imagens ilustrativas

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Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8

Dual Dual Drain N+P Channel (N-Channel P-Channel) 0.06ohm 10V 1.7V SOIC-8

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NDS9952A Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8

Condição de NDS9952A: novo em embalagem comercial

Fabricante: ON Semiconductor

Categoria de produto: MOSFET

RoHS: Detalhes

Tecnologia: Si

Estilo de montagem: SMD/SMT

Caixa / Gabinete: SO-8

Número de canais: 2 Channel

Polaridade do transistor: N-Channel, P-Channel

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 3.7 A

Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 80 mOhms

Vgs - Voltagem de porta e fonte: 20 V

Temperatura operacional mínima: - 55 C

Temperatura operacional máxima: + 150 C

Configuração: Dual Dual Drain

Modo de canal: Enhancement

Embalagem: Cut Tape

Embalagem: MouseReel

Embalagem: Reel

Altura: 1.75 mm

Comprimento: 4.9 mm

Série: NDS9952A

Tipo de transistor: 1 N-Channel, 1 P-Channel

Largura: 3.9 mm

Marca: ON Semiconductor / Fairchild

Transcondutância em avanço - Mín: 6 S, 4 S

Tempo de queda: 5 ns, 8 ns

Pd - Dissipação de potência: 2 W

Tempo de ascensão: 13 ns, 21 ns

NDS9952A Dual MOSFET N and P Channel 3.7A 30V SO8

Condição de NDS9952A: novo em embalagem comercial

Tags de NDS9952A: NDS9952A, NDS9952, 9952A, SOIC-8, mosfet Dual, 512-NDS9952A, NDS9952A-F011, NDS9952ACT-ND, Fairchild Semiconductor, Fairchild Semiconductor

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