para amplificador de RF em VHF / UHF / 870MHz
R$ 46,50
à vista no Pix ou Boleto
ou R$ 48,95 em 1x no cartão (via site)
ou R$ 51,67 no cartão em até 10x sem juros (apenas na loja física)
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Condição de RD07MUS2B: novo em embalagem comercial
Garantia de RD07MUS2B: 3 meses direto com a Net Computadores
| Parameter | Level | Value | Unit |
|---|---|---|---|
| Supply situation | In production | ||
| Drain Voltage | Typ | 7.2 | V |
| Frequency | 175 / 527 / 870 | MHz | |
| Output Power (Min) | 7 | W | |
| Package | SLP | ||
| Input Power (Typ) | 0.3 / 0.4 / 0.5 | W | |
| Drain Efficiency (Min) | 58 | % | |
| Feature | built in Gate Protection Diode | ||
| RoHS Directive | Compliant with RoHS -2011/65/EU-(EU) 2015/863- |
Maiores detalhes de RD07MUS2B no site do fabricante:
https://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/content/product/highfrequency/
Tags de RD07MUS2B: RD07MUS2B, RD07MUS2, RD07MUS2B, RD07MUS2B-T212, amplificador de potência de RF de alta freqüência, RD07 MUS2B, TRANSISTOR AMPLIFICADOR DE rf, TRANSISTOR DE RF, Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs, MITSUBISHI Electric
RD07MUS2B Silicon RF Power MOS FET 7W para amplificador de RF em VHF / UHF / 870MHz
Condição de RD07MUS2B:
novo em embalagem comercial
Garantia de RD07MUS2B:
3 meses direto com a Net Computadores
| Parameter | Level | Value | Unit |
|---|---|---|---|
| Supply situation | In production | ||
| Drain Voltage | Typ | 7.2 | V |
| Frequency | 175 / 527 / 870 | MHz | |
| Output Power (Min) | 7 | W | |
| Package | SLP | ||
| Input Power (Typ) | 0.3 / 0.4 / 0.5 | W | |
| Drain Efficiency (Min) | 58 | % | |
| Feature | built in Gate Protection Diode | ||
| RoHS Directive | Compliant with RoHS -2011/65/EU-(EU) 2015/863- |
Maiores detalhes de RD07MUS2B no site do fabricante:
https://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/content/product/highfrequency/
Tags de RD07MUS2B: RD07MUS2B, RD07MUS2, RD07MUS2B, RD07MUS2B-T212, amplificador de potência de RF de alta freqüência, RD07 MUS2B, TRANSISTOR AMPLIFICADOR DE rf, TRANSISTOR DE RF, Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs, MITSUBISHI Electric
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