para amplificador de RF em VHF / UHF / 870MHz
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RD07MUS2B Silicon RF Power MOS FET 7W
Condição de RD07MUS2B: novo em embalagem comercial
| Parameter | Level | Value | Unit |
|---|---|---|---|
| Supply situation | In production | ||
| Drain Voltage | Typ | 7.2 | V |
| Frequency | 175 / 527 / 870 | MHz | |
| Output Power (Min) | 7 | W | |
| Package | SLP | ||
| Input Power (Typ) | 0.3 / 0.4 / 0.5 | W | |
| Drain Efficiency (Min) | 58 | % | |
| Feature | built in Gate Protection Diode | ||
| RoHS Directive | Compliant with RoHS -2011/65/EU-(EU) 2015/863- |
RD07MUS2B Silicon RF Power MOS FET 7W
Maiores detalhes de RD07MUS2B no site do fabricante:
https://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/content/product/highfrequency/
Condição de RD07MUS2B: novo em embalagem comercial
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