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Componentes Eletrônicos / Semicondutores

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RD07MUS2B-KIT5X Kit 5x Transistor Mosfet Amplificador de RF VHF/UHF

para frequencias de 175Mhz, 527Mhz, 870MHz

RD07MUS2B-KIT5X - MITSUBISHI Electric
RD07MUS2B-KIT5X Kit 5x Transistor Mosfet Amplificador de RF VHF/UHF
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NCM:
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RD07MUS2B-KIT5X Kit 5x Transistor Mosfet Amplificador de RF VHF/UHF
para frequencias de 175Mhz, 527Mhz, 870MHz

Condição de RD07MUS2B-KIT5X:    Novo em embalagem antiestática

Garantia  de  RD07MUS2B-KIT5X:     3 meses direto com a Net Computadores



Kit de 5 unidades de Transistor Mosfet Amplificador de RF RD07MUS2B

O transistor RD07MUS2B é um transistor MOSFET de potência de RF fabricado pela Mitsubishi Electric.
Ele é projetado especificamente para uso em amplificadores de potência de RF (rádio frequência).

Suas principais aplicações são:
  • Estágios de saída de amplificadores de alta potência em rádios móveis que operam nas bandas VHF, UHF e 800MHz/870MHz.
  • Sistemas de comunicação sem fio.
  • Sistemas de radar.
  • Outros dispositivos de alta frequência.
 
Part Numbers: RD07MUS2B, RD07MUS2B-601, RD07MUS2B-T612, RD07MUS2B-T614
 
Fabricante: Mitsubishi Electric
Tensão de alimentação: 7.2V
Frequência operacional: 175 / 527 / 870MHz
Potência dissipada: 7W
Encapsulamento: SLP    
Eficiência no dreno: 58%

Tags de RD07MUS2B-KIT5X: RD07MUS2B-KIT5X, RD07MUS2B, RD07MUS2, RD07MUS2B, RD07MUS2B-T212, amplificador de potência de RF de alta freqüência, RD07 MUS2B, TRANSISTOR AMPLIFICADOR DE rf, TRANSISTOR DE RF, Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs, RD07MUS2B-601, RD07MUS2B-T612, RD07MUS2B-T614, RA07M4452M, RD08MUS2, RD07MUS2BT512J, RD07MUP28, MITSUBISHI Electric, MITSUBISHI Electric

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Condição de RD07MUS2B-KIT5X:
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Kit de 5 unidades de Transistor Mosfet Amplificador de RF RD07MUS2B

O transistor RD07MUS2B é um transistor MOSFET de potência de RF fabricado pela Mitsubishi Electric.
Ele é projetado especificamente para uso em amplificadores de potência de RF (rádio frequência).

Suas principais aplicações são:
  • Estágios de saída de amplificadores de alta potência em rádios móveis que operam nas bandas VHF, UHF e 800MHz/870MHz.
  • Sistemas de comunicação sem fio.
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Part Numbers: RD07MUS2B, RD07MUS2B-601, RD07MUS2B-T612, RD07MUS2B-T614
 
Fabricante: Mitsubishi Electric
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Frequência operacional: 175 / 527 / 870MHz
Potência dissipada: 7W
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Eficiência no dreno: 58%

Tags de RD07MUS2B-KIT5X: RD07MUS2B-KIT5X, RD07MUS2B, RD07MUS2, RD07MUS2B, RD07MUS2B-T212, amplificador de potência de RF de alta freqüência, RD07 MUS2B, TRANSISTOR AMPLIFICADOR DE rf, TRANSISTOR DE RF, Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs, RD07MUS2B-601, RD07MUS2B-T612, RD07MUS2B-T614, RA07M4452M, RD08MUS2, RD07MUS2BT512J, RD07MUP28, MITSUBISHI Electric, MITSUBISHI Electric

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