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Componentes Eletrônicos / Transistores e Mosfets

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SI3456DDV-T1-GE3 Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6 kit 10 und

SMT 6 terminais - Marcação no componente: AYHAQ (Kit com 10 unidades)

SI3456DDV-T1-GE3 - Vishay
SI3456DDV-T1-GE3 Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6 kit 10 und
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SI3456DDV-T1-GE3 Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6 kit 10 und
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SI3456DDV-T1-GE3 Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6 kit 10 und
SMT 6 terminais - Marcação no componente: AYHAQ (Kit com 10 unidades)

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Outros PNs para este item:     SI3456DDV



Kit com 10 unidades
 Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6
  
 Fabricante: Vishay
Categoria do produto: MOSFET
RoHS:    
Tecnologia: Si
Estilo de Montagem:  SMD/SMT
Pacote/Invólucro: TSOP-6
Polaridade do Transistor: Canal N
Número de Canais: 1
Tensão de Ruptura Dreno-Fonte (Vds): 30 V
Corrente de Dreno Contínua (Id): 6,3 A
Resistência Dreno-Fonte (Rds On): 40 mOhms
Tensão Porta-Fonte (Vgs): -20 V, 20 V
Tensão de Limiar Porta-Fonte (Vgsth): 3 V
Carga de Porta (Qg): 2,8 nC
Temperatura Mínima de Operação: -55 C
Temperatura Máxima de Operação: 150 C
Dissipação de Potência (Pd): 2,7 W
Modo de Canal: Aprimoramento
Nome Comercial: TrenchFET
Série: SI3
Embalagem: Carretel
Embalagem: Fita Cortada
Embalagem: MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Configuração: Simples
Tempo de Descida: 11 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de Subida: 9 ns

Maiores detalhes de SI3456DDV-T1-GE3 no site do fabricante:


Tags de SI3456DDV-T1-GE3: SI3456DDV, SI3456DDV-T1-E3, SI3456DDV-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6, transistor AYHAQ, Vishay

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Categoria do produto: MOSFET
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Pacote/Invólucro: TSOP-6
Polaridade do Transistor: Canal N
Número de Canais: 1
Tensão de Ruptura Dreno-Fonte (Vds): 30 V
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Resistência Dreno-Fonte (Rds On): 40 mOhms
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Temperatura Máxima de Operação: 150 C
Dissipação de Potência (Pd): 2,7 W
Modo de Canal: Aprimoramento
Nome Comercial: TrenchFET
Série: SI3
Embalagem: Carretel
Embalagem: Fita Cortada
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Marca: Vishay Semiconductors
Configuração: Simples
Tempo de Descida: 11 ns
Tipo de Produto: MOSFET
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