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Componentes Eletrônicos / Acopladores Opticos / SIRA18BDP-T1-GE3
Componentes Eletrônicos / Acopladores Opticos

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SIRA18BDP-T1-GE3 Mosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMD

SIRA18BDP-T1-GE3 - Vishay
SIRA18BDP-T1-GE3 Mosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMD
*As imagens podem ser ilustrativas
Mosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMDMosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMDMosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMDMosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMDMosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMDMosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMD

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SIRA18BDP-T1-GE3 Mosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMD

Condição de SIRA18BDP-T1-GE3:    novo em embalagem comercial

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Outros PNs para este componente:     RA18B, SIRA18BDP, SIRA18B



Part Numbers: SIRA18BDP-T1-GE3, RA18B, SIRA18BDP, SIRA18B
  
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFETs
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 40A
Fonte de drenagem na resistência: 6.83mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 2.4V
Carga na porta: 12.2nC
Temperatura operacional mínima: -55C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 17W
Transcondutância em avanço mín: 42S
Tempo de queda: 5ns
Tempo de ascensão: 5ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 15ns
Tempo de retardo de acionamento típico: 8ns
 

Maiores detalhes de SIRA18BDP-T1-GE3 no site do fabricante:
https://www.vishay.com/en/product/77143/


Tags de SIRA18BDP-T1-GE3: SIRA18BDP-T1-GE3, RA18B, SIRA18BDP, SIRA18B, SIRA18BDP T1 GE3, SIRA18BDPT1GE3, SIRA18BDP-T1 GE3, SIRA18BDP T1-GE3, SIRA18BDP-T1-GE, SIRA18BDP T1 GE, SIRA18BDPT1GE, SIRA18BDP-T1 GE, SIRA18BDP T1-GE, SIRA18BDP-T1, SIRA18BDP T1, SIRA18BDPT1, SIRA18BDP-T, SIRA18BDP T, SIRA18BDPT, SIRA18BD, SIRA18, S18BDP, SRA18B, SIRA10BDP-T1-GE3, Vishay

SIRA18BDP-T1-GE3 Mosfet RA18B SIRA18BDP NCH 30V 40A SO8 SMD

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Part Numbers: SIRA18BDP-T1-GE3, RA18B, SIRA18BDP, SIRA18B
  
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Categoria de produto: MOSFETs
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 40A
Fonte de drenagem na resistência: 6.83mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 2.4V
Carga na porta: 12.2nC
Temperatura operacional mínima: -55C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 17W
Transcondutância em avanço mín: 42S
Tempo de queda: 5ns
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Tempo de retardo de desligamento típico: 15ns
Tempo de retardo de acionamento típico: 8ns
 

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