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SIZF918DT-T1-GE3 Mosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMD

SIZF918DT-T1-GE3 - Vishay
SIZF918DT-T1-GE3 Mosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMD
SIZF918DT-T1-GE3 Mosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMD
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SIZF918DT-T1-GE3 Mosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMD
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SIZF918DT-T1-GE3 Mosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMD

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Outros PNs para este item:     ZF918, SIZF918DT-T1, SIZF918DT, SIZF918



Part Numbers: SIZF918DT-T1-GE3, ZF918, SIZF918DT-T1, SIZF918DT, SIZF918
  
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFETs
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAIR-6x5-8
Polaridade do transistor: N-Channel, NPN    
Número de canais: 2
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 40A, 60A
Fonte de drenagem na resistência: 6.8mOhms, 2.7mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 1.1V, 1V
Carga na porta: 14.6nC, 37nC
Temperatura operacional mínima: -50C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 26.6W, 50W
Transcondutância em avanço: 53S, 87S
Tempo de ascensão: 45ns, 55ns
Tempo de queda: 10ns, 10ns
Tempo de retardo de acionamento típico: 17ns, 22ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 20ns, 30ns

Maiores detalhes de SIZF918DT-T1-GE3 no site do fabricante:
https://www.vishay.com/en/product/75963/


Tags de SIZF918DT-T1-GE3: SIZF918DT-T1-GE3, ZF918, SIZF918DT-T1, SIZF918DT, SIZF918, SIZF918DT T1 GE3, SIZF918DT-T1 GE3, SIZF918DT T1-GE3, SIZF918DTT1GE3, SIZF918DT-T1, SIZF918DT T1, SIZF918DTT1, SIZF918D, SF918DT, SF918, mosfet n 30v 40a 60a, SIZF906DT, ZF906, 2F906, SIZF918DT-T1-GE3, ZF918, Vishay

SIZF918DT-T1-GE3 Mosfet ZF918 duplo NCH 30V 40A 60A QFN8 SMD

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Part Numbers: SIZF918DT-T1-GE3, ZF918, SIZF918DT-T1, SIZF918DT, SIZF918
  
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFETs
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAIR-6x5-8
Polaridade do transistor: N-Channel, NPN    
Número de canais: 2
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 40A, 60A
Fonte de drenagem na resistência: 6.8mOhms, 2.7mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 1.1V, 1V
Carga na porta: 14.6nC, 37nC
Temperatura operacional mínima: -50C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 26.6W, 50W
Transcondutância em avanço: 53S, 87S
Tempo de ascensão: 45ns, 55ns
Tempo de queda: 10ns, 10ns
Tempo de retardo de acionamento típico: 17ns, 22ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 20ns, 30ns

Maiores detalhes de SIZF918DT-T1-GE3 no site do fabricante:
https://www.vishay.com/en/product/75963/


Tags de SIZF918DT-T1-GE3: SIZF918DT-T1-GE3, ZF918, SIZF918DT-T1, SIZF918DT, SIZF918, SIZF918DT T1 GE3, SIZF918DT-T1 GE3, SIZF918DT T1-GE3, SIZF918DTT1GE3, SIZF918DT-T1, SIZF918DT T1, SIZF918DTT1, SIZF918D, SF918DT, SF918, mosfet n 30v 40a 60a, SIZF906DT, ZF906, 2F906, SIZF918DT-T1-GE3, ZF918, Vishay

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